| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| ·紫外空间探测研究背景 | 第12-15页 |
| ·紫外空间探测发展现状 | 第15-18页 |
| ·紫外空间探测核心器件—紫外探测器 | 第18-27页 |
| ·紫外探测器的应用 | 第18-23页 |
| ·紫外探测器的分类 | 第23-25页 |
| ·基于微通道板紫外光子计数成像探测器国内外进展 | 第25-27页 |
| ·本文主要研究内容及成果 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第二章 NUVD 的结构及成像原理 | 第32-46页 |
| ·NUVD 的结构 | 第32页 |
| ·光子计数成像技术 | 第32-35页 |
| ·光子计数成像技术的特点及其应用 | 第32-33页 |
| ·光子计数成像的原理 | 第33-35页 |
| ·光子计数成像探测器的分类 | 第35页 |
| ·微通道板紫外光子计数成像探测器（MCP-UV-PCID）的工作原理 | 第35-36页 |
| ·感应读出方式 MCP-UV-PCID 的特点 | 第36-38页 |
| ·感应读出方式 MCP-UV-PCID 的组成及各部分的作用原理 | 第38-44页 |
| ·输入窗 | 第38-39页 |
| ·光阴极 | 第39-41页 |
| ·微通道板 | 第41-42页 |
| ·高阻薄膜及其衬底 | 第42页 |
| ·位敏阳极 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 NUVD 阴极窗及导电基底的研究（关键技术一） | 第46-63页 |
| ·M_GF_2窗的特性 | 第46-49页 |
| ·几种导电基底的研制 | 第49-60页 |
| ·实验部分 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-60页 |
| ·结论 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第四章 NUVD 和 FUVD 光阴极的选择及制备（关键技术二） | 第63-76页 |
| ·CSI 阴极 | 第63-69页 |
| ·阴极材料的选择 | 第63-66页 |
| ·阴极材料制作工艺参数选择 | 第66-68页 |
| ·CsI 阴极样管制备 | 第68-69页 |
| ·CS_2TE 阴极 | 第69-73页 |
| ·阴极材料的选择 | 第69-71页 |
| ·阴极材料制作工艺参数选择 | 第71-73页 |
| ·Cs_2Te 阴极样管制备 | 第73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第五章 NUVD 铟封多层金属薄膜的研究（关键技术三） | 第76-85页 |
| ·铟封技术 | 第76-77页 |
| ·多层金属薄膜的制备及对铟封性能的影响 | 第77-83页 |
| ·实验方法 | 第77-79页 |
| ·实验结果与讨论 | 第79-83页 |
| ·结论 | 第83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-85页 |
| 第六章 NUVD 模拟系统的研究（关键技术四） | 第85-129页 |
| ·NUVD 模拟系统的搭建 | 第85-86页 |
| ·GE 薄膜的制备及工艺参数对薄膜性能的影响 | 第86-92页 |
| ·实验方法 | 第87页 |
| ·实验结果及分析 | 第87-89页 |
| ·工艺参数对电阻的影响 | 第89-90页 |
| ·Ge 膜电阻对系统性能影响 | 第90-91页 |
| ·结论 | 第91-92页 |
| ·感应读出方式成像原理的研究 | 第92-98页 |
| ·感应读出电路理论模型 | 第92-93页 |
| ·实验和讨论 | 第93-97页 |
| ·结论 | 第97-98页 |
| ·退火工艺对 GE 薄膜及系统成像性能的影响 | 第98-103页 |
| ·实验方法 | 第98页 |
| ·实验结果与讨论 | 第98-103页 |
| ·结论 | 第103页 |
| ·SI 薄膜的制备及对系统成像性能的影响 | 第103-110页 |
| ·实验方法 | 第103页 |
| ·实验结果及分析 | 第103-109页 |
| ·结论 | 第109-110页 |
| ·NUVD 模拟系统图像畸变的研究 | 第110-118页 |
| ·调制和“S”畸变 | 第110-111页 |
| ·不同电荷云尺寸对 WSA 解码精确度的影响 | 第111-113页 |
| ·电荷云尺寸的影响因素及其对模拟系统成像性能的影响 | 第113-117页 |
| ·解决调制和“S”畸变的方法 | 第117页 |
| ·结论 | 第117-118页 |
| ·金阴极对 NUVD 模拟系统性能的影响 | 第118-125页 |
| ·实验方法 | 第118-120页 |
| ·实验结果和分析 | 第120-123页 |
| ·系统的成像性能 | 第123-125页 |
| ·结论 | 第125页 |
| ·本章小結 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-129页 |
| 第七章 NUVD 样机的结构及其性能测试 | 第129-140页 |
| ·NUVD 样机的结构 | 第129-130页 |
| ·NUVD 样机简单的性能测试 | 第130-135页 |
| ·光阴极量子效率测试 | 第130-132页 |
| ·分辨率和计数率测试 | 第132-134页 |
| ·性能测试待解决问题 | 第134-135页 |
| ·紫外探测器测试系统的设计 | 第135-139页 |
| ·紫外光源 | 第136页 |
| ·滤光片 | 第136-137页 |
| ·光阑 | 第137页 |
| ·分辨率板 | 第137-138页 |
| ·光学镜头及测试系统机械结构 | 第138-139页 |
| ·本章小结 | 第139-140页 |
| 第八章 总结与展望 | 第140-145页 |
| ·全文总结 | 第140-144页 |
| ·工作展望 | 第144-145页 |
| 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第145页 |
| 攻读博士学位期间专利申请情况 | 第145-146页 |
| 致谢 | 第146-147页 |
| 附录：常用术语英文缩写与全文对照表 | 第147-148页 |
