| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·碳化硅的物理特性和发展状况 | 第8-10页 |
| ·碳化硅的基本物理性质 | 第8-10页 |
| ·碳化硅材料目前存在的主要问题 | 第10页 |
| ·碳化硅功率整流器的发展现状 | 第10-14页 |
| ·碳化硅功率器件国内外发展趋势 | 第10-11页 |
| ·碳化硅功率器件国内外发展现状 | 第11-13页 |
| ·研究4H-SiC功率整流器结终端技术的意义 | 第13-14页 |
| ·本文的主要成果及创新点 | 第14-15页 |
| 第二章 碳化硅功率整流器耐压理论 | 第15-22页 |
| ·碳化硅功率整流器的物理模型 | 第15-19页 |
| ·数值仿真基本方程 | 第16页 |
| ·能带宽度变化模型 | 第16-17页 |
| ·碰撞电离模型 | 第17-18页 |
| ·迁移率模型 | 第18-19页 |
| ·仿真软件SILVACO简介 | 第19-22页 |
| 第三章 1200V碳化硅功率整流器基本结构的仿真与分析 | 第22-33页 |
| ·SBD与JBS功率整流器的正向特性研究 | 第23-24页 |
| ·JBS整流器的温度特性研究 | 第24-25页 |
| ·JBS整流器的反向恢复特性研究 | 第25-26页 |
| ·JBS整流器的元胞结构优化设计 | 第26-32页 |
| ·JBS整流器的单元胞结构设计 | 第26-29页 |
| ·JBS整流器的多元胞结构设计 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 碳化硅功率整流器结终端的优化设计 | 第33-52页 |
| ·碳化硅SBD场板结构结终端的优化设计 | 第33-36页 |
| ·场板长度L与击穿电压的关系 | 第34-35页 |
| ·氧化层厚度D_(ox)与击穿电压的关系 | 第35-36页 |
| ·碳化硅SBD阶梯型场板结终端的优化设计 | 第36-39页 |
| ·D_1与D2对SiC SBD反向击穿电压的影响 | 第37-39页 |
| ·L_1与L_2对SiC SBD反向击穿电压的影响 | 第39页 |
| ·碳化硅JBS JTE结构结终端的优化设计 | 第39-43页 |
| ·JTE长度L对功率整流器耐压的影响 | 第40-42页 |
| ·JTE的掺杂浓度对功率整流器耐压的影响 | 第42-43页 |
| ·新型多台阶刻蚀JTE终端结构的设计研究 | 第43-45页 |
| ·多种结终端技术综合应用的设计仿真 | 第45-50页 |
| ·SBD整流器阶梯型场板+JTE结构结终端设计 | 第45-47页 |
| ·JBS整流器JTE+场限环结构结终端设计 | 第47-49页 |
| ·JBS阶梯型场板+JTE+场限环结构结终端设计 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 碳化硅JBS流片实验与测试结果分析 | 第52-60页 |
| ·碳化硅JBS版图设计与工艺流程 | 第52-55页 |
| ·SiC JBS功率整流器流片实验结构图 | 第52-54页 |
| ·SiC JBS功率整流器版图工艺流程及说明 | 第54-55页 |
| ·碳化硅JBS实验测试结果与分析 | 第55-59页 |
| ·多台阶刻蚀JTE终端结构测试分析 | 第56-57页 |
| ·JTE+阶梯场板结构测试分析 | 第57-58页 |
| ·JTE+保护环结构测试分析 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第66页 |