| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·场致电子发射及其应用 | 第9-10页 |
| ·场致电子发射材料的研究现状 | 第10-16页 |
| ·场致电子发射冷阴极材料 | 第10-13页 |
| ·场致电子发射冷阴极材料的改进 | 第13-15页 |
| ·TiO_2的基本性质及其场电子发射研究现状 | 第15-16页 |
| ·本文的选题背景及研究意义 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-21页 |
| 第二章 场致电子发射的基本理论 | 第21-34页 |
| ·固体表面势垒与电子发射 | 第22-28页 |
| ·场致电子发射 | 第22页 |
| ·Fowler—Nordheim 理论 | 第22-24页 |
| ·半导体的场致电子发射 | 第24-27页 |
| ·内场致电子发射 | 第27-28页 |
| ·场致电子发射的几个基本概念 | 第28-29页 |
| ·场致电子发射的评价参数 | 第29-31页 |
| ·场致电子发射测试系统 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 碳掺杂量对 TiO_2纳米管有序阵列膜场致电子发射特性的影响 | 第34-45页 |
| ·可控碳掺杂 TiO_2纳米管有序阵列膜的制备及表征 | 第35-38页 |
| ·可控碳掺杂 TiO_2纳米管有序阵列膜的制备 | 第35-36页 |
| ·可控碳掺杂 TiO_2纳米管有序阵列膜的表面形貌结构 | 第36-37页 |
| ·可控碳掺杂 TiO_2纳米管有序阵列膜的物相研究 | 第37页 |
| ·可控碳掺杂 TiO_2纳米管有序阵列膜的 X 射线光电子能谱分析 | 第37-38页 |
| ·可控碳掺杂 TiO_2纳米管有序阵列膜的场致电子发射特性研究 | 第38-42页 |
| ·可控碳掺杂 TiO_2纳米管有序阵列膜的场致电子发射性能分析 | 第38-40页 |
| ·可控碳掺杂 TiO_2纳米管有序阵列膜的 I-V 特性分析 | 第40-41页 |
| ·可控碳掺杂 TiO_2纳米管有序阵列膜的场致电子发射稳定性研究 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第四章 TiO_2纳米管有序阵列膜的高温碳化处理及其场致电子发射特性研究 | 第45-53页 |
| ·TiO_2纳米管有序阵列膜的高温碳化处理及表征 | 第46-48页 |
| ·高温碳化 TiO_2纳米管有序阵列膜的制备 | 第46页 |
| ·高温碳化 TiO_2纳米管有序阵列膜的形貌结构 | 第46-47页 |
| ·高温碳化 TiO_2纳米管有序阵列膜的物相分析 | 第47-48页 |
| ·高温碳化 TiO_2纳米管有序阵列膜的场致电子发射特性研究 | 第48-50页 |
| ·高温碳化 TiO_2纳米管有序阵列膜的场致电子发射性能分析 | 第48-49页 |
| ·高温碳化 TiO_2纳米管有序阵列膜的 I-V 特性分析 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表或提交的论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
