低温制备集成电路互连高密度碳纳米管的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·研究背景 | 第9-11页 |
| ·集成电路互连的发展背景 | 第9页 |
| ·Cu 互连的优势及其限制 | 第9-11页 |
| ·CNTs 互连 | 第11页 |
| ·碳纳米管的结构及其分类 | 第11-14页 |
| ·碳纳米管的结构及结构模型 | 第11-12页 |
| ·碳纳米管的分类 | 第12-14页 |
| ·碳纳米管的制备方法及其生长机理 | 第14-16页 |
| ·碳纳米管的制备方法 | 第14-15页 |
| ·碳纳米管的生长机理 | 第15-16页 |
| ·碳纳米管的特性及应用 | 第16-17页 |
| ·碳纳米管的力学性能 | 第16页 |
| ·碳纳米管的热学性能 | 第16页 |
| ·碳纳米管的电学性能 | 第16-17页 |
| ·碳纳米管互连的国内外研究现状 | 第17-18页 |
| ·国外研究现状 | 第17-18页 |
| ·国内研究现状 | 第18页 |
| ·本文研究的内容和意义 | 第18-21页 |
| ·研究的目的和意义 | 第18-19页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 碳纳米管生长实验及表征 | 第21-28页 |
| ·催化剂的制备 | 第21-24页 |
| ·离子束溅射制备催化剂薄膜 | 第21-22页 |
| ·催化剂预处理技术 | 第22-23页 |
| ·催化剂颗粒的表征 | 第23-24页 |
| ·RF-PECVD 法制备碳纳米管 | 第24-25页 |
| ·RF-PECVD | 第24页 |
| ·碳纳米管的制备 | 第24-25页 |
| ·碳纳米管的表征 | 第25-28页 |
| ·SEM 表征 | 第25页 |
| ·TEM 表征 | 第25-26页 |
| ·拉曼光谱表征 | 第26-28页 |
| 第三章 碳纳米管生长条件的研究 | 第28-52页 |
| ·碳纳米管的生长条件对碳纳米管形貌和结构的影响 | 第28-46页 |
| ·催化剂对碳纳米管生长的影响 | 第28-31页 |
| ·衬底温度对碳纳米管生长的影响 | 第31-36页 |
| ·工作压强对碳纳米管生长的影响 | 第36-42页 |
| ·混合气体不同比例对碳纳米管生长的影响 | 第42-45页 |
| ·RF 功率对碳纳米管生长的影响 | 第45-46页 |
| ·低温制备碳纳米管工艺的研究 | 第46-52页 |
| ·低温下影响碳纳米管生长的因素 | 第46页 |
| ·低温下制备碳纳米管工艺条件的分析 | 第46-52页 |
| 第四章 结论和展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
