| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·选题的背景及意义 | 第10-12页 |
| ·选题的背景 | 第10-11页 |
| ·研究意义 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状及发展趋势 | 第12-14页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·发展趋势 | 第13-14页 |
| ·主要研究内容和研究方法 | 第14-15页 |
| ·主要研究内容 | 第14页 |
| ·研究方法 | 第14-15页 |
| ·本论文所做的工作 | 第15-16页 |
| 第二章 高密度电阻率法基本原理和方法 | 第16-22页 |
| ·高密度电阻率法概述 | 第16页 |
| ·高密度电阻率法的基本原理 | 第16-19页 |
| ·地电场所满足的偏微分方程 | 第16-17页 |
| ·大地电阻率的测量 | 第17-18页 |
| ·视电阻率的微分形式及其物理意义 | 第18-19页 |
| ·高密度电阻率法的电极装置(排列)类型 | 第19页 |
| ·野外工作方法 | 第19-20页 |
| ·装置的选择 | 第19-20页 |
| ·极距的确定 | 第20页 |
| ·高密度电法相对常规电法的特点 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 高密度电法浅部不均匀体影响特征及原因分析 | 第22-45页 |
| ·正演模型中浅部不均匀体影响效应分析 | 第22-34页 |
| ·RES2DMOD正演软件 | 第22页 |
| ·浅部不均匀体导致测深曲线的畸变现象 | 第22-23页 |
| ·正演模型中浅部不均匀体影响特征 | 第23-29页 |
| ·正演模型中浅部不均匀体影响随深度变化规律 | 第29-34页 |
| ·实测数据中浅部不均匀体影响特征 | 第34-38页 |
| ·正演与实测数据中浅部不均匀体影响对比分析 | 第38-39页 |
| ·高密度电法浅部不均匀体影响原因分析 | 第39-44页 |
| ·半无限空间电流场 | 第39-40页 |
| ·浅部不均匀体对电流场的影响分析 | 第40-41页 |
| ·浅部不均匀体引起视电阻率畸变的分析 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 浅部不均匀体影响各处理方法对比分析 | 第45-49页 |
| ·各处理方法原理概述 | 第45-47页 |
| ·比值法概述 | 第45-46页 |
| ·多点圆滑法概述 | 第46页 |
| ·中值圆滑滤波法概述 | 第46-47页 |
| ·各处理方法的校正效果对比分析 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 高密度电法浅部不均匀体影响校正方法研究 | 第49-64页 |
| ·高密度电法数据分布 | 第49-50页 |
| ·插值法压制数据误差 | 第50-53页 |
| ·数据误差来源 | 第50页 |
| ·一元三点插值算法 | 第50-52页 |
| ·插值处理效果分析 | 第52-53页 |
| ·中值空间滤波法突出数据异常 | 第53-56页 |
| ·空间滤波法 | 第53页 |
| ·中值空间滤波算法设计 | 第53-55页 |
| ·滤波处理效果分析 | 第55-56页 |
| ·校正阈值的计算与校正方法原理 | 第56-58页 |
| ·半二阶差分法定校正阈值 | 第56-57页 |
| ·校正方法原理 | 第57-58页 |
| ·正演数值模拟验证校正方法 | 第58-62页 |
| ·校正正演模拟低阻不均匀体影响 | 第58-60页 |
| ·校正正演模拟高阻不均匀体影响 | 第60-62页 |
| ·高密度电法数据处理方法流程 | 第62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 工程实例应用分析 | 第64-73页 |
| ·实例一:地表单个不均匀体影响校正 | 第64-66页 |
| ·实验概况 | 第64页 |
| ·资料处理效果分析 | 第64-66页 |
| ·实例二:地表两个不均匀体影响校正 | 第66-67页 |
| ·实验概况 | 第66-67页 |
| ·资料处理效果分析 | 第67页 |
| ·实例三:黄陵—矿某工作面顶板富水性高密度电法探测 | 第67-69页 |
| ·测区概况及施工设计 | 第67-68页 |
| ·资料处理效果分析 | 第68-69页 |
| ·实例四:榆阳煤矿某工作面顶板含水层富水性高密度电法探测 | 第69-72页 |
| ·测区概况及施工设计 | 第69-70页 |
| ·资料处理效果分析 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第七章 结论及展望 | 第73-75页 |
| ·结论 | 第73页 |
| ·展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 附录 | 第80-81页 |