| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| ·纳米材料与纳米科技概述 | 第12-13页 |
| ·一维纳米材料的研究进展 | 第13-14页 |
| ·一维纳米材料的制备方法与生长机制 | 第14-18页 |
| ·β-Ga_2O_3的性质和应用 | 第18-22页 |
| ·β-Ga_2O_3的晶体结构 | 第18-21页 |
| ·β-Ga_2O_3的光学特性和应用 | 第21页 |
| ·β-Ga_2O_3的电学特性和应用 | 第21-22页 |
| ·β-Ga_2O_3的气敏特性和应用 | 第22页 |
| ·一维β-Ga_2O_3纳米材料的研究现状 | 第22-23页 |
| ·本论文的选题思路以及研究内容 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第二章 一维β-Ga_2O_3纳米材料的制备技术和表征方法 | 第27-41页 |
| ·一维β-Ga_2O_3纳米材料常用的制备方法 | 第27-32页 |
| ·气相法合成一维β-Ga_2O_3纳米材料 | 第27-30页 |
| ·液相法合成一维β-Ga_2O_3纳米材料 | 第30-32页 |
| ·一维β-Ga_2O_3纳米材料的表征方法 | 第32-39页 |
| ·粉末X射线衍射(XRD) | 第32-33页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第33-34页 |
| ·X射线能谱分析(EDS) | 第34-35页 |
| ·透射电镜分析(TEM) | 第35-36页 |
| ·拉曼光谱分析(Raman) | 第36-38页 |
| ·室温荧光光谱分析(PL) | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 一维β-Ga_2O_3纳米材料的生长与机理研究 | 第41-72页 |
| ·一维β-Ga_2O_3纳米材料的热蒸发CVD制备 | 第41-46页 |
| ·热蒸发CVD装置及工艺参数 | 第41-45页 |
| ·一维β-Ga_2O_3纳米材料制备流程 | 第45-46页 |
| ·一维β-Ga_2O_3纳米材料的结构、成分与形貌 | 第46-51页 |
| ·结构和成份分析 | 第46-49页 |
| ·形貌观察 | 第49-51页 |
| ·实验参数对一维β-Ga_2O_3结构和形貌的影响 | 第51-65页 |
| ·蒸发温度 | 第51-53页 |
| ·反应时间 | 第53-54页 |
| ·气体流量 | 第54-58页 |
| ·Au催化剂 | 第58-64页 |
| ·蒸发源与衬底之间的距离 | 第64-65页 |
| ·一维β-Ga_2O_3纳米材料生长机理讨论 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第四章 一维β-Ga_2O_3纳米材料的发光性能研究 | 第72-83页 |
| ·光致发光的基本原理 | 第73-74页 |
| ·工艺参数对一维β-Ga_2O_3纳米材料发光性能的影响 | 第74-78页 |
| ·形貌 | 第74-76页 |
| ·氧流量 | 第76页 |
| ·退火 | 第76-77页 |
| ·Au催化剂 | 第77-78页 |
| ·一维β-Ga_2O_3纳米材料发光机制的讨论 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第五章 结论与展望 | 第83-86页 |
| ·全文总结 | 第83-84页 |
| ·研究展望 | 第84-86页 |
| 硕士期间科研成果 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
