TiC/n型4H-SiC半导体欧姆接触研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第9-12页 |
| ·SiC欧姆接触的国内外发展状况 | 第12-14页 |
| ·本文要解决的主要问题 | 第14页 |
| ·研究内容和章节安排 | 第14-16页 |
| 2 欧姆接触的基本原理 | 第16-27页 |
| ·金属半导体接触的基本参数 | 第16-17页 |
| ·肖特基势垒的形成机理 | 第17-20页 |
| ·肖特基-莫特模型 | 第17-18页 |
| ·巴丁模型 | 第18页 |
| ·适合SiC的模型 | 第18-19页 |
| ·影响势垒高度的因素 | 第19-20页 |
| ·载流子输运机理 | 第20-22页 |
| ·欧姆接触的形成机理 | 第22-26页 |
| ·欧姆接触的形成原理 | 第22-23页 |
| ·获得低比接触电阻的条件 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 3 SiC欧姆接触的制备及测量方法 | 第27-37页 |
| ·SiC欧姆接触材料的选择 | 第27-30页 |
| ·n型SiC欧姆接触 | 第27-29页 |
| ·p型SiC欧姆接触 | 第29-30页 |
| ·比接触电阻的测量方法 | 第30-36页 |
| ·直线传输线模型法 | 第31-33页 |
| ·圆点传输线模型法 | 第33-34页 |
| ·圆环传输线模型 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 4 TiC/n型4H-SiC欧姆接触 | 第37-55页 |
| ·欧姆电极材料TiC | 第37-38页 |
| ·TiC/n型4H-SiC欧姆接触工艺流程 | 第38-45页 |
| ·清洗 | 第39-40页 |
| ·氢等离子体处理 | 第40页 |
| ·光刻 | 第40-42页 |
| ·溅射 | 第42页 |
| ·剥离(lift-off) | 第42-43页 |
| ·退火 | 第43-44页 |
| ·电学参数的测试 | 第44页 |
| ·结构表征 | 第44-45页 |
| ·比接触电阻的测量与计算 | 第45-48页 |
| ·微观结构分析 | 第48-52页 |
| ·表面氢钝化对欧姆接触的影响 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
