| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-10页 |
| ·概述 | 第8-9页 |
| ·~(28)Si评价数据概况 | 第9-10页 |
| 第二章 理论方法简介 | 第10-17页 |
| ·微观理论方法简介 | 第10-14页 |
| ·APMN程序理论基础 | 第10-11页 |
| ·非弹性散射理论基础 | 第11-12页 |
| ·UNF主要理论简介 | 第12-14页 |
| ·宏观检验的理论方法 | 第14-17页 |
| ·简述 | 第14页 |
| ·宏观检验的理论方法 | 第14-17页 |
| ·确定论方法简介 | 第14-15页 |
| ·M-C方法简介 | 第15-17页 |
| 第三章 CENDL-3.1 ~(28)Si的基准检验 | 第17-33页 |
| ·CENDL-3.1 ~(28)Si的微观数据回顾 | 第17-27页 |
| ·截面值比对 | 第17-21页 |
| ·角分布比对 | 第21-23页 |
| ·双微分谱比对 | 第23-26页 |
| ·本节小结 | 第26-27页 |
| ·CENDL-3.12 ~(28)Si的基准检验 | 第27-32页 |
| ·中子泄漏谱实验 | 第27-30页 |
| ·实验简介 | 第27-28页 |
| ·MCNP计算结果及分析 | 第28-30页 |
| ·光子泄漏谱实验 | 第30-31页 |
| ·实验简介 | 第30页 |
| ·MCNP计算结果及分析 | 第30-31页 |
| ·本节小结 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 ~(28)Si的重新理论计算 | 第33-49页 |
| ·评价流程 | 第33-34页 |
| ·~(28)Si截面评价 | 第34-41页 |
| ·角分布 | 第41-44页 |
| ·弹性散射角分布 | 第41-43页 |
| ·分立能级直接非弹性散射角分布 | 第43-44页 |
| ·双微分谱 | 第44-47页 |
| ·共振参数 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 新评价的~(28)Si的宏观检验 | 第49-55页 |
| ·中子泄漏谱实验 | 第49-50页 |
| ·光子泄漏谱实验 | 第50-54页 |
| ·检验计算结果 | 第50-52页 |
| ·光子泄漏谱检验结果分析 | 第52-53页 |
| ·对光子泄漏谱分析的小结 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60页 |