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ZnO基稀磁半导体单晶薄膜的分子束外延生长以及性能研究

符号表第1-10页
中文摘要第10-14页
Abstract第14-17页
第一章 绪论第17-37页
 第一节 引言第17-23页
 第二节 ZnO的材料特性第23-25页
 第三节 ZnO基稀磁半导体的研究进展第25-28页
 第四节 ZnO基稀磁半导体的应用前景第28-31页
 第五节 本文的研究动机和研究内容第31-33页
 参考文献第33-37页
第二章 样品的制备技术与测量分析方法第37-56页
 第一节 分子束外延生长的制备技术第37-47页
 第二节 薄膜样品的测量分析方法第47-56页
   ·反射高能电子衍射(RHEED)第47-48页
   ·X射线光电子能谱(XPS)第48-50页
   ·拉曼光谱(Raman)第50-51页
   ·光致发光谱(PL)第51-53页
   ·交变梯度磁强计(AGM)第53-54页
   ·超导量子干涉仪(SQUID)第54-56页
第三章 Al_2O_3(0001)衬底上ZnO单晶薄膜的外延生长与表征第56-64页
 第一节 ZnO单晶薄膜的外延生长工艺第57-59页
 第二节 ZnO单晶薄膜的制备及其结构表征第59-63页
 参考文献第63-64页
第四章 Co掺杂ZnO稀磁半导体的外延生长与性能研究第64-87页
 第一节 引言第64-65页
 第二节 Zn_(1-x)Co_xO单晶薄膜的制备过程第65-70页
 第三节 薄膜结构、成分、光学与室温铁磁性研究第70-84页
   ·结构特性第70-77页
   ·成分及化学价态特性第77-78页
   ·光学特性第78-79页
   ·磁特性第79-81页
   ·结果与讨论第81-84页
 第四节 小结第84-85页
 参考文献第85-87页
第五章 Mn掺杂ZnO稀磁半导体的外延生长与性能研究第87-110页
 第一节 引言第87-88页
 第二节 Zn_(1-x)Mn_xO单晶薄膜的制备及退火过程第88-94页
 第三节 薄膜性质与退火后铁磁性的起源研究第94-107页
   ·结构特性第94-99页
   ·磁特性第99-100页
   ·输运特性第100-101页
   ·光学特性第101-105页
   ·结果与讨论第105-107页
 第四节 小结第107-108页
 参考文献第108-110页
第六章 总结与展望第110-116页
 第一节 论文工作的主要结论第110-113页
 第二节 论文的创新之处第113-114页
 第三节 下一步的工作展望第114-115页
 参考文献第115-116页
在学期间发表的论文第116-117页
致谢第117-118页
英文论文一第118-121页
英文论文二第121-125页
学位论文评阅及答辩情况表第125页

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