| 声明 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-18页 |
| ·论文的研究意义 | 第12-16页 |
| ·研究内容 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第2章 WDM系统中的解复用光接收技术 | 第18-36页 |
| ·WDM系统解复用接收技术现状 | 第19-23页 |
| ·WDM系统中的解复用技术 | 第19-22页 |
| ·WDM系统中的接收技术 | 第22-23页 |
| ·新型 WDM集成解复用接收技术—谐振腔增强型(RCE)光探测器 | 第23-32页 |
| ·RCE光探测器的发展综述 | 第23-25页 |
| ·RCE光探测器的基本理论 | 第25-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-36页 |
| 第3章 晶片键合技术及 GaAs/InP低温晶片键合工艺研究 | 第36-77页 |
| ·键合技术综述 | 第36-44页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·晶片键合技术基本原理 | 第37-38页 |
| ·晶片键合技术的主要实现方法 | 第38-42页 |
| ·晶片键合技术的主要应用 | 第42-44页 |
| ·GaAs/InP晶片键合的理论分析 | 第44-60页 |
| ·晶片发生室温键合的表面平整度条件 | 第44-48页 |
| ·晶片键合界面应力分析理论研究 | 第48-56页 |
| ·键合位错产生机制的理论研究 | 第56-60页 |
| ·低温 GaAs/InP晶片键合的实验研究 | 第60-70页 |
| ·实验步骤 | 第60-62页 |
| ·键合晶片性能测试 | 第62-69页 |
| ·低温晶片键合的初步应用实验 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 第4章 基于 InP/空气隙 DBR的高速 RCE光探测器 | 第77-103页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·探测器结构的优化设计 | 第78-91页 |
| ·器件制备材料的选取 | 第78-83页 |
| ·器件性能理论模拟 | 第83-90页 |
| ·器件结构 | 第90-91页 |
| ·探测器的制备过程 | 第91-93页 |
| ·基于 InP/空气隙 DBR的高速光探测器的性能测试 | 第93-97页 |
| ·基于 InP/空气隙 DBR光探测器的光谱响应线宽可控设计 | 第97-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-103页 |
| 第5章 高速、窄线宽、可调谐长波长“一镜斜置三镜腔”光探测器的研究 | 第103-135页 |
| ·InP基外延层楔形结构的制备 | 第103-111页 |
| ·楔形结构制备的基本原理 | 第104-105页 |
| ·楔形结构制备实验 | 第105-106页 |
| ·楔形结构实验分析 | 第106-109页 |
| ·楔形结构的倾角及表面形貌测试 | 第109-111页 |
| ·结论 | 第111页 |
| ·“一镜斜置三镜腔”光探测器的理论分析与器件设计 | 第111-122页 |
| ·“一镜斜置三镜腔”光探测器的基本理论 | 第111-114页 |
| ·长波长“一镜斜置三镜腔”光探测器的结构设计 | 第114-122页 |
| ·长波长“一镜斜置三镜腔”光探测器的制备及测试 | 第122-129页 |
| ·基于 GaAs基 DBR的 InP基“一镜斜置三镜腔”光探测器的制备 | 第123-125页 |
| ·GaAS基 F-P腔滤波器的调谐性能测试与分析 | 第125-126页 |
| ·基于 GaAs基 DBR的 InP基“一镜斜置三镜腔”光探测器的测试 | 第126-129页 |
| ·本章小结 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-135页 |
| 第6章 总结 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137-140页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和所申请专利 | 第140-142页 |
