| 1．绪论 | 第1-22页 |
| 1．1 EDWA的研究背景 | 第10-11页 |
| 1．2 Er~(3+)的精细结构及光谱理论 | 第11-13页 |
| 1．3 Yb共掺的作用 | 第13-14页 |
| 1．4 掺Er薄膜材料的研究和发展现状 | 第14-18页 |
| 1．4．1 掺Er硅基薄膜的研究现状 | 第14-16页 |
| 1．4．2 掺Er化合物薄膜的研究现状 | 第16-18页 |
| 1．5 本论文工作的主要目的和研究重点 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 2 薄膜的制备及分析方法 | 第22-33页 |
| 2．1 本论文中薄膜制备的方法 | 第22-25页 |
| 2．1．1 离子束辅助沉积技术 | 第22-23页 |
| 2．1．2 磁控溅射沉积技术 | 第23-25页 |
| 2．2 薄膜质量的研究方法 | 第25-32页 |
| 2．2．1 透射电镜分析(TEM) | 第25-26页 |
| 2．2．2 X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 2．2．3 扫描电镜分析(SEM) | 第27-28页 |
| 2．2．4 透射谱的分析方法 | 第28-30页 |
| 2．2．5 薄膜光致荧光的测量 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 3 离子束辅助沉积(IBAD)法制备掺Er-SiO_x薄膜 | 第33-46页 |
| 3．1 掺Er-SiO_x薄膜的制备 | 第33-35页 |
| 3．1．1 衬底的选择及清洗 | 第33页 |
| 3．1．2 靶的制备 | 第33-34页 |
| 3．1．3 实验操作过程及参数控制 | 第34页 |
| 3．1．4 基片的加热方式和退火工艺 | 第34-35页 |
| 3．2 掺Er-SiO_x薄膜的表征 | 第35-44页 |
| 3．2．1 薄膜厚度分析 | 第35-36页 |
| 3．2．2 薄膜成分分析 | 第36-38页 |
| 3．2．3 薄膜结构分析 | 第38-40页 |
| 3．2．4 薄膜的红外光致荧光 | 第40-44页 |
| 3．3 本章结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 4 射频磁控溅射沉积Er／Yb共掺ZnO薄膜 | 第46-68页 |
| 4．1 Er／Yb共掺ZnO薄膜的制备 | 第46-48页 |
| 4．1．1 衬底的选择和清洗 | 第46-47页 |
| 4．1．2 实验操作过程及参数控制 | 第47页 |
| 4．1．3 退火处理 | 第47-48页 |
| 4．2 沉积温度对Er／Yb共掺ZnO薄膜的影响 | 第48-54页 |
| 4．2．1 成分分析 | 第48页 |
| 4．2．2 XRD结构分析 | 第48-51页 |
| 4．2．3 薄膜厚度及光学特性分析 | 第51-54页 |
| 4．3 退火温度对Er／Yb共掺ZnO薄膜的影响 | 第54-58页 |
| 4．3．1 成分分析： | 第54-56页 |
| 4．3．2 XRD结构分析 | 第56-58页 |
| 4．3．3 透射谱分析 | 第58页 |
| 4．4 光致荧光特性分析 | 第58-66页 |
| 4．4．1 红外PL发光的测量 | 第58-63页 |
| 4．4．2 紫外PL发光的测量 | 第63-66页 |
| 4．5 本章结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 5 脉冲磁控溅射制备Er／Yb共掺ZnO薄膜 | 第68-78页 |
| 5．1 Er／Yb共掺ZnO薄膜的制备 | 第68-69页 |
| 5．2 Er／Yb共掺ZnO薄膜的表征 | 第69-72页 |
| 5．2．1 XRD结构特征 | 第69-71页 |
| 5．2．2 薄膜厚度及光学参数分析 | 第71-72页 |
| 5．3 Er／Yb共掺ZnO薄膜光致荧光特性 | 第72-76页 |
| 5．4 本章结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-78页 |
| 6 结论与展望 | 第78-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第82-91页 |