| 1 引言 | 第1-19页 |
| ·半导体探测器的特点和发展史 | 第8-9页 |
| ·室温核辐射半导体探测器的现状 | 第9-13页 |
| ·GaAs 核辐射探测器 | 第10页 |
| ·CdTe 核辐射探测器 | 第10-11页 |
| ·HgI_2 核辐射探测器 | 第11-12页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe 探测器 | 第12页 |
| ·其它室温半导体核辐射探测器材料 | 第12-13页 |
| ·新型室温核辐射半导体探测器 | 第13-18页 |
| ·室温CdSe 化合物半导体探测器 | 第16-17页 |
| ·CdSe 探测器研究现状 | 第17-18页 |
| ·本论文的选题特点 | 第18-19页 |
| 2. 高纯 CDSE多晶原料的合成 | 第19-32页 |
| ·CdSe 多晶合成方法 | 第19-20页 |
| ·化学反应方向 | 第20-23页 |
| ·中温(～650 ℃)液相合成 CdSe 多晶原料的热力学研究 | 第23-29页 |
| ·Cd/Se 液相体系的热力学参数的计算 | 第23-27页 |
| ·Cd/Se 体系反应焓变的计算 | 第27-28页 |
| ·Cd/Se 体系反应熵变 | 第28页 |
| ·Cd/Se 体系生成 Gibbs 自由能的变化和平衡常数 | 第28-29页 |
| ·中温(～650 ℃)液相合成CdSe 多晶原料 | 第29-32页 |
| ·化学计量法 | 第29-30页 |
| ·富Se法 | 第30页 |
| ·实验步骤 | 第30-31页 |
| ·实验结果与讨论 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32页 |
| 3. 晶体生长 | 第32-52页 |
| ·CdSe 单晶体的气相生长 | 第32-34页 |
| ·CdSe 单晶气相生长工艺参数的改进 | 第34-43页 |
| ·CdSe 单晶体气相生长温场的改进 | 第34-38页 |
| ·CdSe 单晶体气相生长速度的控制 | 第38-43页 |
| ·改进后的晶体生长工艺规程 | 第43-46页 |
| ·清洗、装料及封结 | 第43页 |
| ·多级气相提纯 | 第43-44页 |
| ·晶体生长 | 第44-46页 |
| ·CdSe 晶体的性能测试和表征 | 第46-51页 |
| ·电学性能的表征 | 第46-49页 |
| ·光学性能测试 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 4 CDSE 单晶的正电子湮没与退火处理 | 第52-58页 |
| ·正电子湮没技术 | 第52-55页 |
| ·正电子湮没谱仪测量原理 | 第52-53页 |
| ·二重态捕获模型 | 第53-55页 |
| ·正电子湮没与晶片的退火 | 第55-58页 |
| ·样品的制备 | 第55页 |
| ·正电子湮没寿命测试 | 第55-58页 |
| ·最佳退火温度的选取 | 第58页 |
| ·本章小结 | 第58页 |
| 5 结论 | 第58-61页 |
| ·结论 | 第58-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 附件 | 第63-64页 |
| 声明 | 第64-65页 |