| 摘要 | 第1-12页 |
| Abstract | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-39页 |
| ·透明导电氧化物薄膜及其研究现状 | 第15-19页 |
| ·透明导电薄膜及其分类 | 第15-16页 |
| ·透明导电氧化物薄膜及基本性质 | 第16-18页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的应用领域 | 第18-19页 |
| ·ZnO材料的性能 | 第19-24页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第19-21页 |
| ·ZnO材料的近带边发光与能带结构 | 第21-24页 |
| ·ZnO材料的掺杂改性与缺陷 | 第24-32页 |
| ·ⅢA族元素掺杂浓度与ZnO材料的光学性能 | 第24-26页 |
| ·ⅢA族元素掺杂浓度与ZnO材料的半导体性能 | 第26-29页 |
| ·ZnO材料中的缺陷 | 第29-32页 |
| ·ZnO/SiC异质结的研究及其进展 | 第32-37页 |
| ·ZnO/6H-SiC异质结能带结构的实验研究 | 第33-36页 |
| ·ZnO/6H-SiC异质结能带结构的理论研究 | 第36-37页 |
| ·本论文的选题及主要研究内容 | 第37-39页 |
| 第二章 掺杂ZnO透明导电薄膜的制备 | 第39-73页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·掺杂ZnO陶瓷靶材的制备 | 第39-42页 |
| ·混合研磨 | 第39-41页 |
| ·压片 | 第41页 |
| ·固相反应烧结 | 第41-42页 |
| ·掺杂ZnO薄膜的制备 | 第42-46页 |
| ·薄膜的分类 | 第42-43页 |
| ·ICP辅助物理气相沉积法及制备原理 | 第43-45页 |
| ·薄膜沉积前的准备工作 | 第45-46页 |
| ·制备参数对ZnO薄膜结构及性能的影响 | 第46-57页 |
| ·溅射前后ZnO材料中元素掺杂浓度 | 第46-47页 |
| ·溅射功率及压强对ZnO薄膜结晶质量的影响 | 第47-50页 |
| ·衬底温度对GZO薄膜结构及性能的影响 | 第50-57页 |
| ·氧分压对GZO薄膜结构及性能的影响 | 第57-65页 |
| ·不同氧气含量下制备的GZO薄膜结构 | 第58-59页 |
| ·不同氧气含量下制备的GZO薄膜导电性能 | 第59-61页 |
| ·不同氧气含量下制备的GZO薄膜透射光谱 | 第61-62页 |
| ·不同氧气含量下制备的GZO薄膜光致发光与缺陷 | 第62-65页 |
| ·掺杂浓度对GZO薄膜结构与光电性能的影响 | 第65-68页 |
| ·Ga掺杂浓度对GZO薄膜结构的影响 | 第65-66页 |
| ·Ga掺杂浓度对GZO薄膜光电性能的影响 | 第66-68页 |
| ·快速退火对GZO薄膜结构与光电性能的影响 | 第68-71页 |
| ·快速退火对GZO薄膜结构的影响 | 第69-70页 |
| ·快速退火对GZO薄膜光电性能的影响 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第三章 Al或Ga掺杂ZnO薄膜性能的比较 | 第73-88页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·GZO与AZO的不同制备参数 | 第73-74页 |
| ·GZO、AZO透明导电薄膜的性能与比较 | 第74-84页 |
| ·GZO与AZO薄膜的结构 | 第75-76页 |
| ·GZO与AZO薄膜的透过性能 | 第76-77页 |
| ·GZO、AZO薄膜性能差异的研究 | 第77-84页 |
| ·GZO、AZO透明导电薄膜的能带结构与比较 | 第84-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第四章 掺杂ZnO/SiC异质结的能带排列 | 第88-102页 |
| ·引言 | 第88页 |
| ·同步辐射光电子能谱 | 第88-90页 |
| ·Ga、Al掺杂元素对ZnO/SiC异质结的影响 | 第90-97页 |
| ·异质结表面薄膜的SRPES及分析 | 第91-92页 |
| ·异质结界面的SRPES及分析 | 第92-94页 |
| ·SiC衬底的SRPES及分析 | 第94-95页 |
| ·Ga及Al掺杂ZnO/SiC异质结的能带排列比较 | 第95-97页 |
| ·SiC的晶面取向及退火处理对异质结能带排列的影响 | 第97-100页 |
| ·Si面向与C面向GZO/SiC异质结的能带偏移 | 第97-100页 |
| ·退火对GZO/SiC异质结的导价带能级偏移的影响 | 第100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 第五章 GZO薄膜在6H-SiC上的电极应用 | 第102-114页 |
| ·引言 | 第102页 |
| ·6H-SiC上的GZO薄膜的电极制备与性能 | 第102-107页 |
| ·SiC光导开关及电极需要 | 第102-104页 |
| ·SiC的选取与处理 | 第104-105页 |
| ·6H-SiC上GZO电极的透明导电性能 | 第105-107页 |
| ·GZO/SiC接触界面的氧化问题 | 第107-111页 |
| ·GZO电极应用后的SiC光导开关性能测试 | 第111-113页 |
| ·本章小结 | 第113-114页 |
| 第六章 结论与展望 | 第114-117页 |
| ·本文的主要结论 | 第114-115页 |
| ·本文的创新点 | 第115-116页 |
| ·展望 | 第116-117页 |
| 附录 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-136页 |
| 致谢 | 第136页 |
