| 中文摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·计算机模拟与材料设计 | 第12-14页 |
| ·应变与计算机模拟 | 第14-15页 |
| ·应变对材料的影响 | 第15-21页 |
| ·应变对传统半导体的影响 | 第15-17页 |
| ·应变对稀磁半导体的影响 | 第17-18页 |
| ·应变对金属氧化物薄膜的影响 | 第18-19页 |
| ·应变对扩散的影响 | 第19-21页 |
| ·本论文研究的内容 | 第21-22页 |
| 第二章 第一性原理计算的理论基础 | 第22-38页 |
| ·多体的薛定谔方程 | 第22-23页 |
| ·Hartree-Fock方法-单电子近似 | 第23-25页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第25-26页 |
| ·LDA近似和GGA近似 | 第26-28页 |
| ·平面波赝势法 | 第28-32页 |
| ·结构优化方法 | 第32-35页 |
| ·Hellmann-Feynman力 | 第32-33页 |
| ·共轭梯度方法 | 第33-34页 |
| ·自洽计算 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-38页 |
| 第三章 半导体中的应变诱导的量子效应 | 第38-56页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·理论分析 | 第39-41页 |
| ·计算方法和结构模型 | 第41-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-53页 |
| ·应变对形成能的影响 | 第44-48页 |
| ·电子结构 | 第48-52页 |
| ·应变对磁性的影响 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-56页 |
| 第四章 应变对扩散势垒的调制 | 第56-72页 |
| ·引言 | 第56-59页 |
| ·计算方法和模型 | 第59-60页 |
| ·结果和讨论 | 第60-69页 |
| ·应变对结合能的影响 | 第60-61页 |
| ·应变对扩散势垒的影响 | 第61-69页 |
| ·小结 | 第69-72页 |
| 第五章 应变对氧化物LaAlO_3/SrTiO_3界面的影响 | 第72-88页 |
| ·引言 | 第72-77页 |
| ·计算方法和模型 | 第77-78页 |
| ·计算细节 | 第77页 |
| ·结构模型 | 第77-78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-87页 |
| ·优化后的原子结构 | 第78-80页 |
| ·氧空位的形成能 | 第80-82页 |
| ·应变对氧空位形成能的影响 | 第82-83页 |
| ·应变对电子结构的影响 | 第83-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 总结与展望 | 第88-90页 |
| 附录 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-106页 |
| 插图 | 第106-110页 |
| 表格 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111页 |