| 第一章 导论 | 第1-27页 |
| §1.1 前言 | 第15-17页 |
| §1.2 研究背景 | 第17-25页 |
| §1.2.1 半导体量子点激光器的研究进展 | 第17-20页 |
| §1.2.2 量子动态局域化的研究进展 | 第20-25页 |
| §1.3 本论文的目标和概貌 | 第25-27页 |
| 第二章 半导体自组织量子点在量子阱结构(DWELL)的电子结构及光学性质 | 第27-39页 |
| §2.1 前言 | 第27-28页 |
| §2.2 模型和方法 | 第28-31页 |
| §2.3 结果和讨论 | 第31-37页 |
| §2.3.1 量子阱中InAs／In_xGa_(1-x)As自组织量子点的电子结构 | 第31-34页 |
| §2.3.2 在量子阱中自组织量子点结构GaN／Ga_xAl_(1-x)N的电子能谱 | 第34-37页 |
| §2.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 双量子点分子中激子的场致动态局域化 | 第39-62页 |
| §3.1 前言 | 第39-40页 |
| §3.2 电子和空穴的隧穿系数相同的情况 | 第40-50页 |
| §3.2.1 模型和方法 | 第40-44页 |
| §3.2.2 结果和讨论 | 第44-50页 |
| §3.3 电子和空穴具有不同隧穿系数的一般情况 | 第50-60页 |
| §3.3.1 模型和方法 | 第50页 |
| §3.3.2 结果和讨论 | 第50-60页 |
| §3.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 在交变电场驱动下线形三量子点分子中激子的隧穿性质 | 第62-73页 |
| §4.1 前言 | 第62页 |
| §4.2 模型和方法 | 第62-67页 |
| §4.3 结果和讨论 | 第67-72页 |
| §4.3.1 强场驱动下,当n=|k|／ω是偶数时,激子的动力学性质 | 第67-68页 |
| §4.3.2 在强场驱动下,n=|k|／ω是奇数时,激子的动力学行为 | 第68-69页 |
| §4.3.3 弱场驱动下激子的动态局域化 | 第69-72页 |
| §4.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 交变电场驱动下线形三量子点分子中双电子的量子隧穿 | 第73-88页 |
| §5.1 前言 | 第73页 |
| §5.2 模型和方法 | 第73-76页 |
| §5.3 结果和讨论 | 第76-86页 |
| §5.3.1 在三重态子空间双电子的隧穿特性 | 第76-80页 |
| §5.3.2 在单态子空间双电子的隧穿特性 | 第80-86页 |
| §5.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 第六章 总结和展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-94页 |
| 附录一 交变电场驱动下线形三量子点分子中激子的哈密顿 | 第94-101页 |
| 附录二 交变电场驱动下线形三量子点分子中双电子的哈密顿 | 第101-108页 |
| 在学期间发表的论文及已完成的工作 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109页 |
