| 前言 | 第1-19页 |
| 第一章 晶体生长原料的合成与表征 | 第19-24页 |
| 1．1 实验仪器及试剂 | 第19页 |
| 1．2 原料的提纯 | 第19-20页 |
| 1．3 原料的合成 | 第20-21页 |
| 1．4 原料的表征 | 第21-24页 |
| 第二章 晶体生长 | 第24-37页 |
| 2．1 提拉法原理 | 第24-29页 |
| 2．2 生长装置及设备 | 第29页 |
| 2．3 生长工艺流程 | 第29-32页 |
| 2．4 晶体生长 | 第32-36页 |
| 2．5 生长中的控制要点 | 第36-37页 |
| 第三章 晶体基本常数 | 第37-47页 |
| 3．1 晶体中P的含量 | 第37页 |
| 3．2 晶体的稀土离子浓度 | 第37-38页 |
| 3．3 晶体的分凝系数 | 第38-40页 |
| 3．4 晶体的晶胞参数 | 第40-44页 |
| 3．5 晶体的折射率 | 第44-47页 |
| 第四章 晶体光谱性能 | 第47-70页 |
| 4．1 晶体光谱理论 | 第47-52页 |
| 4．2 晶体的光谱测试 | 第52-59页 |
| 4．3 Nd~(3＋):YP_(0．1)V_(0．9)O_4晶体的光谱特征 | 第59-64页 |
| 4．4 Yb~(3＋):YP_(0．1)V_(0．9)O_4晶体的光谱特征 | 第64-70页 |
| 第五章 晶体质量鉴定 | 第70-79页 |
| 5．1 晶体的光学均匀性 | 第70-74页 |
| 5．2 晶体的光损伤阈值 | 第74-76页 |
| 5．3 晶体的激光性能测试 | 第76-79页 |
| 结论 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-87页 |
| 附录 | 第87-93页 |