致谢 | 第1-6页 |
摘要 | 第6-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
目录 | 第8-11页 |
1 绪论 | 第11-31页 |
·引言 | 第11-12页 |
·噻咯衍生物的研究进展 | 第12-30页 |
·官能化噻咯衍生物 | 第12-20页 |
·硅杂梯形噻咯类化合物 | 第20-24页 |
·联噻吩噻咯类化合物 | 第24-27页 |
·螺噻咯类化合物 | 第27-28页 |
·其它噻咯类化合物 | 第28-29页 |
·小结 | 第29-30页 |
·本文的立题思想 | 第30-31页 |
2 2 ,5-二亚甲基硅噻咯及其衍生物的合成、表征、性能及应用 | 第31-51页 |
·部分原料及试剂 | 第31-32页 |
·测试设备 | 第32页 |
·具有亚甲硅的噻咯衍生物的合成 | 第32-35页 |
·噻咯的结构表征 | 第35-47页 |
·1,1-二甲基-3,4-二苯基-2,5-二(二甲基硅)基噻咯(1a)的表征 | 第35-38页 |
·1,1-二甲基-3,4-二苯基-2,2,5,5-四(二甲基硅)基噻咯-3-烯(TDMSHS)的表征 | 第38-41页 |
·1-甲基-1,3,4-三苯基-2,5-二(二甲基硅)基噻咯(1b)的表征 | 第41-44页 |
·1,1,3,4-四苯基-2,5-二(二甲基硅)基噻咯(1c)的表征 | 第44-47页 |
·结果与讨论 | 第47-50页 |
·化合物的紫外吸收 | 第47-48页 |
·理论计算 | 第48-50页 |
·反应机理 | 第50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
3 新型双环氢化噻咯的合成、结构、光电性能及构效关系 | 第51-62页 |
·部分原料及试剂 | 第51页 |
·测试设备 | 第51-52页 |
·氢化双环噻咯的合成 | 第52-53页 |
·亚硅甲基噻咯的合成路线 | 第52页 |
·双环氢化噻咯的合成步骤 | 第52-53页 |
·噻咯的表征 | 第53-56页 |
·核磁分析 | 第53-55页 |
·HRMS(MALDI-TOF)分析 | 第55页 |
·晶体结构 | 第55-56页 |
·元素分析 | 第56页 |
·结果与讨论 | 第56-61页 |
·光谱 | 第56-59页 |
·理论计算 | 第59-60页 |
·可能的机理 | 第60-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
4 新型共轭超支化噻咯聚合物的合成、表征、光电性能及应用 | 第62-71页 |
·部分原料及试剂 | 第62-63页 |
·测试设备 | 第63页 |
·聚合物hb-SPSV的合成 | 第63-66页 |
·超支化噻咯聚合物hb-SPSV的合成路线 | 第63-64页 |
·超支化聚合物hb-SPSV的合成步骤 | 第64-66页 |
·结果与讨论 | 第66-70页 |
·聚合物hb-SPSV的合成 | 第66页 |
·结构特点 | 第66-68页 |
·聚合物hb-SPSV的热性能 | 第68页 |
·聚合物hb-SPSV光学性能及应用 | 第68-70页 |
·本章小结 | 第70-71页 |
5 全文总结 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-82页 |
附录 | 第82-85页 |
研究成果 | 第85-86页 |
个人简介 | 第86页 |