| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 前言 | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-14页 |
| 第二章 晶体硅太阳电池表面钝化的研究 | 第14-32页 |
| 2．1 理论计算及分析 | 第14-19页 |
| 2．1．1 表面复合 | 第14-16页 |
| 2．1．1．1 进行表面钝化 | 第16页 |
| 2．1．1．2 可以作一个表面场或高低结 | 第16页 |
| 2．1．2 重掺杂的影响 | 第16-18页 |
| 2．1．3 俄偈复合 | 第18-19页 |
| 2．2 实验方案的确定 | 第19-24页 |
| 2．3 实验 | 第24-26页 |
| 2．3．1 硅片的选择 | 第24页 |
| 2．3．2 硅片的化学清洗 | 第24-25页 |
| 2．3．3 扩散 | 第25页 |
| 2．3．4 表面钝化 | 第25-26页 |
| 2．4 实验结果及数据处理 | 第26-29页 |
| 2．5 分析与讨论 | 第29-31页 |
| 2．6 结论 | 第31-32页 |
| 第三章 晶体硅太阳电池p-n结及铝背场的研究 | 第32-44页 |
| 3．1 晶体硅太阳电池p-n结的研究 | 第32-34页 |
| 3．2 铝背场的研究 | 第34-44页 |
| 3．2．1 背场对太阳电池的主要影响 | 第34-36页 |
| 3．2．2 铝背场的形成理论 | 第36-39页 |
| 3．2．3 实验与结果 | 第39-42页 |
| 3．2．4 分析与讨论 | 第42-43页 |
| 3．2．5 结论 | 第43-44页 |
| 第四章 用开路电压法测晶体硅太阳电池和少子寿命 | 第44-55页 |
| 4．1 理论分析 | 第44-51页 |
| 4．1．1 n/p结太阳电池在脉冲光照状态下的物理模型 | 第44-46页 |
| 4．1．2 数学模型 | 第46-47页 |
| 4．1．3 n/p结势垒电容放电对测量少子寿命的影响 | 第47-51页 |
| 4．2 计算机模拟 | 第51-52页 |
| 4．3 实验测试 | 第52-53页 |
| 4．4 结果与讨论 | 第53-54页 |
| 4．5 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 致谢 | 第62页 |