| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-27页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·电子封装及电子封装材料 | 第9-14页 |
| ·电子封装 | 第9-11页 |
| ·电子封装材料 | 第11-14页 |
| ·传统电子封装材料 | 第11-13页 |
| ·电子封装用金属基复合材料 | 第13-14页 |
| ·颗粒增强金属基复合材料 | 第14-17页 |
| ·基体材料 | 第14页 |
| ·增强体材料 | 第14-15页 |
| ·材料的性能 | 第15-17页 |
| ·导热性能 | 第15-16页 |
| ·热膨胀性能 | 第16页 |
| ·力学性能 | 第16-17页 |
| ·SiC颗粒增强金属基复合材料的制备方法及研究进展 | 第17-21页 |
| ·粉末冶金法 | 第17-18页 |
| ·挤压铸造法(Squeeze casting) | 第18-19页 |
| ·无压渗透法(Pressureless infiltration) | 第19-21页 |
| ·无压渗透法的提出 | 第19页 |
| ·无压渗透法的优缺点 | 第19-20页 |
| ·研究进展 | 第20-21页 |
| ·研究中存在的问题及改进方法 | 第21-24页 |
| ·存在的问题 | 第21-22页 |
| ·改进方法 | 第22-24页 |
| ·控制界面反应和提高两相润湿性的方法 | 第22-24页 |
| ·改善SiC预制型微观通道的方法 | 第24页 |
| ·研究展望 | 第24-25页 |
| ·本课题的提出 | 第25-27页 |
| ·课题来源 | 第25页 |
| ·选择依据及意义 | 第25-26页 |
| ·研究内容 | 第26-27页 |
| 第2章 无压渗透法制备SiC/Cu复合材料工艺 | 第27-34页 |
| ·实验原材料及设备 | 第27-28页 |
| ·实验流程 | 第28页 |
| ·原材料的前处理 | 第28-29页 |
| ·SiC粉和Cu粉的清洗 | 第28页 |
| ·SiC预制型制备 | 第28-29页 |
| ·SiC/Cu复合材料的制备 | 第29-32页 |
| ·纯Cu在纯SiC中熔渗 | 第29-31页 |
| ·纯Cu在含活性元素的SiC中熔渗 | 第31页 |
| ·Cu块中添加合金化元素 | 第31-32页 |
| ·结构与性能检测 | 第32-34页 |
| ·SiC预制型体积分数测量 | 第32-33页 |
| ·渗透层深度测量 | 第33页 |
| ·显微组织和物相分析 | 第33-34页 |
| 第3章 纯Cu在纯SiC中的无压渗透 | 第34-46页 |
| ·SiC预制型制备条件对熔渗的影响 | 第34-37页 |
| ·制备条件SiC预制型成型性影响 | 第34页 |
| ·制备条件对SiC预制型体积分数的影响 | 第34-35页 |
| ·对渗层厚度的影响 | 第35-37页 |
| ·渗透温度和保温时间的影响 | 第37-38页 |
| ·铺垫粉量的影响 | 第38-39页 |
| ·XRD物相分析 | 第39-41页 |
| ·SiC/Cu复合材料微观组织 | 第41-42页 |
| ·EDS分析 | 第42-44页 |
| ·力学性能分析 | 第44页 |
| ·渗透机制分析 | 第44-46页 |
| 第4章 添加活性元素对渗透效果的影响 | 第46-50页 |
| ·SiC预制型中添加活性元素的影响 | 第46-48页 |
| ·Cu块中添加合金化元素的影响 | 第48-50页 |
| 第5章 结论 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读学位期间得研究成果 | 第57页 |