| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 引言 | 第11-14页 |
| 1.2 3D NAND Flash研究背景介绍 | 第14-17页 |
| 1.3 闪存设备性能优化技术研究现状 | 第17-27页 |
| 1.4 闪存设备可靠性技术研究现状 | 第27-29页 |
| 1.5 本文的主要研究内容和组织结构 | 第29-33页 |
| 2 基于重复编程特性的多次闪存子页写入技术 | 第33-73页 |
| 2.1 基于重复编程特性的多次闪存子页写入研究动机 | 第33-35页 |
| 2.2 不同闪存单元重复编程特性分析 | 第35-42页 |
| 2.3 基于重复编程特性的SLC型闪存多次子页写入技术 | 第42-50页 |
| 2.4 基于双模操作的MLC型闪存多次子页写入技术 | 第50-60页 |
| 2.5 实验评估 | 第60-71页 |
| 2.6 本章小结 | 第71-73页 |
| 3 基于闪存读写不对称特性的通道带宽优化技术 | 第73-95页 |
| 3.1 大容量3D闪存对通道内并行性的影响 | 第73-74页 |
| 3.2 闪存读写延迟不对称特性分析 | 第74-79页 |
| 3.3 基于读写不对称特性的通道带宽优化技术设计 | 第79-88页 |
| 3.4 实验评估 | 第88-94页 |
| 3.5 本章小结 | 第94-95页 |
| 4 提高闪存可靠性的干扰补偿技术 | 第95-116页 |
| 4.1 闪存的3D结构对可靠性和性能的影响与分析 | 第95-100页 |
| 4.2 基于干扰补偿的读写优化管理技术总体设计 | 第100-101页 |
| 4.3 3D闪存编程干扰定量分析及干扰补偿编程方法 | 第101-103页 |
| 4.4 基于三维闪存页排布特征的可靠性保障方法 | 第103-106页 |
| 4.5 基于更新频度特性的多级队列数据聚类方法 | 第106-109页 |
| 4.6 实验评估 | 第109-115页 |
| 4.7 本章小结 | 第115-116页 |
| 5 全文总结与展望 | 第116-121页 |
| 5.1 主要研究成果 | 第116-119页 |
| 5.2 研究展望 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-136页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第136-137页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请的发明专利和其他成果 | 第137-138页 |
| 附录3 攻读博士学位期间参与的科研项目 | 第138页 |
