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表面掺杂改性三氧化钨气敏机理研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
第一章 绪论第9-18页
   ·气敏传感器定义及分类第9-10页
   ·W0_3 薄膜气敏传感器第10-13页
     ·W0_3的晶体结构第10-11页
     ·W0_3气敏传感器的工作原理第11-13页
   ·W0_3 薄膜气敏传感器研究现状第13-16页
     ·实验方面研究动态第14-15页
     ·理论方面研究动态第15-16页
   ·本课题研究目标和研究内容第16-18页
第二章 计算理论基础和相关软件介绍第18-25页
   ·密度泛函理论(DFT)第18-21页
     ·多电子体系的薛定谔(Schrodinger)方程第18-19页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第19-20页
     ·Kohn-Sham 方程第20-21页
   ·交换-关联相关能近似第21页
   ·赝势平面波第21-22页
   ·CASTEP 软件介绍第22-23页
   ·本文计算设计方案第23-24页
   ·参数设置第24-25页
第三章 表面掺杂改性三氧化钨晶体的第一性原理计算第25-36页
   ·引言第25页
   ·W0_3 晶体结构的建立及优化第25-29页
     ·W0_3晶体几何结构第25-26页
     ·W0_3晶体能带结构和态密度图第26-29页
   ·W0_3 表面模型的建立及优化第29-31页
     ·W0_3表面真空层模型的建立第29-30页
     ·W0_3 (002)表面结构与性能第30-31页
   ·Ti 掺杂W0_3(002)面掺杂模型及其性质第31-35页
     ·Ti 掺杂W0_3(002)面最佳掺杂模型的建立第31-33页
     ·Ti-W0_3(002)能带结构和态密度图第33-35页
   ·本章小结第35-36页
第四章 表面掺杂改性三氧化钨对N0_2气体敏感机理的研究第36-46页
   ·引言第36页
   ·Ti-W0_3(002)表面N0_2吸附模型建立第36-39页
     ·N0_2 分子模型建立第36-37页
     ·表面吸附结构的建立第37-38页
     ·最佳吸附模型的确定第38-39页
   ·Ti-W0_3(002)面吸附N0_2 气敏机理研究第39-45页
     ·N0_2在Ti-W0_3(002)吸附对表面几何结构的影响第39-40页
     ·N0_2在Ti-W0_3(002)吸附对表面电导的影响第40-43页
     ·N0_2在Ti-W0_3的(002)吸附前后电子布居分布的分析第43-45页
   ·本章小结第45-46页
第五章 表面掺杂改性三氧化钨对NH_3气体敏感机理的研究第46-54页
   ·引言第46页
   ·Ti-W0_3(002)表面NH_3吸附模型建立第46-49页
     ·NH_3 分子模型建立第46-47页
     ·表面吸附结构的建立第47-48页
     ·最佳吸附模型的确定第48-49页
   ·Ti-W0_3(002)面吸附NH_3 气敏机理研究第49-53页
     ·NH_3在Ti-W0_3(002)吸附对表面几何结构的影响第49-50页
     ·NH_3在Ti-W0_3(002)吸附对表面电导的影响第50-52页
     ·NH_3在Ti-W0_3的(002)吸附前后电子布居分布的分析第52-53页
   ·本章小结第53-54页
第六章 表面掺杂改性三氧化钨对H_2气体敏感机理的研究第54-63页
   ·引言第54-55页
   ·W0_3 薄膜H_2 敏感机理第55-59页
     ·W0_3(002)表面H_2吸附模型建立及最佳模型的确定第55-56页
     ·H_2在W0_3(002)吸附对表面几何结构的影响第56-57页
     ·H_2在W0_3(002)吸附对表面电导的影响第57-58页
     ·H_2在W0_3(002)吸附前后电子布居分布的分析第58-59页
   ·Ti 表面改性的W0_3 薄膜H_2 敏感机理第59-62页
     ·Ti-W0_3(002)表面H_2最佳吸附模型的建立及最佳模型确立第59页
     ·H_2在Ti-W0_3(002)吸附对表面几何结构的影响第59-60页
     ·H_2在 Ti-WO_3(002)吸附对表面电导的影响第60-61页
     ·H_2在Ti-W0_3(002)吸附前后电子布居分布的分析第61-62页
   ·本章小结第62-63页
第七章 总结与展望第63-66页
   ·全文总结第63-64页
   ·工作展望第64-66页
参考文献第66-71页
发表论文和参加科研情况说明第71-72页
致谢第72页

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