霍尔推力器传导沟槽对近壁传导影响的粒子模拟
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| ·课题的背景及研究意义 | 第9-13页 |
| ·课题来源 | 第9页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-13页 |
| ·国内外研究现状 | 第13-18页 |
| ·电子传导机制研究简单历程 | 第13-15页 |
| ·通道壁面形貌影响电子近壁传导的研究现状 | 第15-18页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 PIC粒子模拟模型的建立 | 第20-33页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·PIC粒子模拟方法的基本计算过程 | 第20-28页 |
| ·PIC方法的基本循环 | 第20-21页 |
| ·等离子体的初始化 | 第21-23页 |
| ·云方程 | 第23-24页 |
| ·单粒子运动处理 | 第24-25页 |
| ·泊松方程的求解 | 第25-26页 |
| ·PIC模拟加速计算方法 | 第26-28页 |
| ·计算模型的建立 | 第28-30页 |
| ·平板鞘层模型的建立 | 第28页 |
| ·矩形沟槽鞘层模型的建立 | 第28-29页 |
| ·模型边界条件的处理 | 第29-30页 |
| ·绝缘壁面二次电子发射处理 | 第30-32页 |
| ·本章小节 | 第32-33页 |
| 第3章 PIC稳定性分析及鞘层模拟 | 第33-53页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·PIC模拟稳定性分析 | 第33-39页 |
| ·稳定性问题的提出 | 第33-35页 |
| ·运用控制理论对稳定性问题的分析 | 第35-39页 |
| ·PIC模拟平板鞘层 | 第39-45页 |
| ·入射电子温度对平板鞘层的影响 | 第39-41页 |
| ·二次电子发射系数对平板鞘层的影响 | 第41-43页 |
| ·离子流入射强度对平板鞘层的影响 | 第43-45页 |
| ·PIC模拟矩形沟槽鞘层 | 第45-52页 |
| ·沟槽深度对矩形沟槽鞘层的影响 | 第45-47页 |
| ·沟槽宽度对矩形沟槽鞘层的影响 | 第47-50页 |
| ·沟槽间距对矩形沟槽鞘层的影响 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 PIC模拟沟槽对近壁传导的影响 | 第53-77页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·沟槽几何尺寸对近壁传导的影响 | 第53-63页 |
| ·沟槽深度对近壁传导的影响 | 第53-57页 |
| ·沟槽宽度对近壁传导的影响 | 第57-60页 |
| ·沟槽间距对近壁传导的影响 | 第60-63页 |
| ·电磁场对近壁传导的影响 | 第63-69页 |
| ·电场变化对近壁传导的影响 | 第64-66页 |
| ·磁场变化对近壁传导的影响 | 第66-69页 |
| ·矩形沟槽在不同壁面材料下增强近壁传导的特性 | 第69-74页 |
| ·矩形沟槽对近壁传导的增强作用分析 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
