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CdSe/ZnS半导体量子点电子结构的理论研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-7页
第一章 绪论第7-17页
   ·半导体量子点的基本概念第7页
   ·半导体量子点的发光特性第7-10页
   ·半导体量子点的应用第10-13页
   ·量子点在应用中存在的一些问题第13-14页
   ·量子点电子结构研究进展第14-16页
   ·论文的出发点和主要工作第16-17页
第二章 量子点电子结构的紧束缚近似计算第17-32页
   ·CdSe/ZnS量子点的量子禁戒效应第17-19页
   ·半经验紧束缚近似方法简介第19-21页
   ·半经验紧束缚方法计算CdSe/ZnS量子点的能级结构第21-28页
   ·结果的分析和讨论第28-30页
   ·激子模型对量子点能带结构的影响第30-32页
第三章 基于激子模型的CdSe/ZnS量子点的能级结构第32-44页
   ·激子的基本概念和性质第32-33页
   ·激子半径第33-34页
   ·有效质量近似第34-36页
   ·模型和数值解第36-44页
第四章 半导体量子点发光特性研究第44-50页
   ·半导体量子点的发光途径第44-45页
   ·量子点发光和激发光功率的关系第45-46页
   ·量子点尺寸分布对量子点发光的影响第46-47页
   ·量子点荧光谱线相对于吸收谱线的红移机理第47-48页
   ·外部环境对量子点发光特性的影响第48-50页
结论和展望第50-52页
 1 主要结论第50页
 2 后续工作的展望第50-52页
参考文献第52-58页
攻读硕士学位期间取得的科研成果第58-59页
致谢第59页

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