摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-7页 |
第一章 绪论 | 第7-17页 |
·半导体量子点的基本概念 | 第7页 |
·半导体量子点的发光特性 | 第7-10页 |
·半导体量子点的应用 | 第10-13页 |
·量子点在应用中存在的一些问题 | 第13-14页 |
·量子点电子结构研究进展 | 第14-16页 |
·论文的出发点和主要工作 | 第16-17页 |
第二章 量子点电子结构的紧束缚近似计算 | 第17-32页 |
·CdSe/ZnS量子点的量子禁戒效应 | 第17-19页 |
·半经验紧束缚近似方法简介 | 第19-21页 |
·半经验紧束缚方法计算CdSe/ZnS量子点的能级结构 | 第21-28页 |
·结果的分析和讨论 | 第28-30页 |
·激子模型对量子点能带结构的影响 | 第30-32页 |
第三章 基于激子模型的CdSe/ZnS量子点的能级结构 | 第32-44页 |
·激子的基本概念和性质 | 第32-33页 |
·激子半径 | 第33-34页 |
·有效质量近似 | 第34-36页 |
·模型和数值解 | 第36-44页 |
第四章 半导体量子点发光特性研究 | 第44-50页 |
·半导体量子点的发光途径 | 第44-45页 |
·量子点发光和激发光功率的关系 | 第45-46页 |
·量子点尺寸分布对量子点发光的影响 | 第46-47页 |
·量子点荧光谱线相对于吸收谱线的红移机理 | 第47-48页 |
·外部环境对量子点发光特性的影响 | 第48-50页 |
结论和展望 | 第50-52页 |
1 主要结论 | 第50页 |
2 后续工作的展望 | 第50-52页 |
参考文献 | 第52-58页 |
攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第58-59页 |
致谢 | 第59页 |