| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| ·立方氮化硼的介绍 | 第11-16页 |
| ·立方氮化硼的制备与表征方法 | 第16-22页 |
| ·立方氮化硼的电学研究现状及面临的问题 | 第22-23页 |
| ·本论文的主要工作 | 第23-26页 |
| 第2章 射频磁控溅射法制备立方氮化硼薄膜及其退火研究 | 第26-36页 |
| ·射频磁控设备介绍 | 第26-31页 |
| ·射频磁控法制备立方氮化硼薄膜 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第3章 氮化硼薄膜的掺杂及金半接触研究 | 第36-50页 |
| ·金属半导体接触的类型 | 第36-38页 |
| ·肖特基接触和欧姆接触的基本原理 | 第38-41页 |
| ·立方氮化硼薄膜的掺杂及金半接触研究 | 第41-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 射频磁控溅射法制备纳米硅 | 第50-56页 |
| ·纳米硅的介绍 | 第50-54页 |
| ·纳米硅薄膜的制备 | 第54-56页 |
| 第5章 纳米硅薄膜的性质研究 | 第56-62页 |
| ·纳米硅薄膜的红外分析 | 第56-58页 |
| ·纳米硅薄膜的XPS 分析 | 第58-59页 |
| ·纳米硅薄膜的Raman 分析 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |