| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| ·透明氧化物半导体的研究背景 | 第11-13页 |
| ·p型铜铁矿结构透明氧化物半导体的研究进展 | 第13-14页 |
| ·p型CuCrO_2材料的研究进展 | 第14-17页 |
| ·CuCrO_2薄膜的晶体结构 | 第15页 |
| ·CuCrO_2薄膜的制备工艺 | 第15-17页 |
| ·CuCrO_2薄膜的应用前景 | 第17-19页 |
| ·透明电子器件 | 第17-18页 |
| ·臭氧传感器 | 第18-19页 |
| ·本论文研究思路与内容 | 第19-21页 |
| 第2章 薄膜样品的制备及表征方法 | 第21-25页 |
| ·薄膜的制备工艺 | 第21-22页 |
| ·本文所用磁控溅射设备介绍 | 第21页 |
| ·磁控溅射基本原理 | 第21-22页 |
| ·薄膜的结构表征和物理性能测量 | 第22-25页 |
| ·薄膜的厚度测量 | 第22-23页 |
| ·薄膜的结构表征 | 第23页 |
| ·薄膜的表面形貌分析 | 第23页 |
| ·薄膜的光学性能测量 | 第23页 |
| ·薄膜的电学性能测量 | 第23-25页 |
| 第3章 CuCrO_2薄膜制备工艺的优化 | 第25-43页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·衬底温度对CuCrO_2薄膜性能的影响 | 第25-34页 |
| ·样品制备 | 第25-26页 |
| ·不同衬底温度的CuCrO_2薄膜结构与成分分析 | 第26-29页 |
| ·不同衬底温度的CuCrO_2薄膜的光学性能 | 第29-33页 |
| ·不同衬底温度的CuCrO_2薄膜的电学性能 | 第33-34页 |
| ·退火处理对CuCrO_2薄膜性能的影响 | 第34-37页 |
| ·不同退火温度的CuCrO_2薄膜结构 | 第34-35页 |
| ·不同退火温度的CuCrO_2薄膜的性能 | 第35-37页 |
| ·溅射功率对CuCrO_2薄膜性能的影响 | 第37-38页 |
| ·氧分压对CuCrO_2薄膜性能的影响 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 CuCrO_2薄膜的掺杂改性研究 | 第43-61页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·CuCrO_2:Zn薄膜的性能研究 | 第43-48页 |
| ·样品制备 | 第43-44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-48页 |
| ·CuCrO_2:Mg薄膜的性能研究 | 第48-52页 |
| ·样品制备 | 第48页 |
| ·实验结果与讨论 | 第48-52页 |
| ·不同厚度CuCrO_2:Mg(9mol%)薄膜的性能研究 | 第52-59页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·样品制备 | 第52-53页 |
| ·实验结果与讨论 | 第53-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第5章 p-CuCrO_2:Mg/n-Si p-n结的制备与性能研究 | 第61-67页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·样品制备 | 第61-62页 |
| ·实验结果与讨论 | 第62-64页 |
| ·p-CuCrO_2:Mg(9mol%)/n-Si p-n结的I-V特性 | 第62-63页 |
| ·p-CuCrO_2:Mg(9mol%)/n-Si p-n结的整流特性分析 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
