| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·选题背景 | 第9-15页 |
| ·太阳能的概述及其特点 | 第9-12页 |
| ·太阳能电池的概述与分类 | 第12-15页 |
| ·非晶硅薄膜太阳能电池的应用现状及其发展趋势 | 第15-18页 |
| ·提高非晶硅电池转换效率方法 | 第17页 |
| ·非晶硅电池稳定性问题 | 第17页 |
| ·技术的发展方向 | 第17-18页 |
| ·论文的研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 非晶硅太阳能电池的理论基础 | 第19-31页 |
| ·非晶态材料的半导体物理特性 | 第19-25页 |
| ·非晶态材料的结构 | 第19-20页 |
| ·非晶态材料的光学特性 | 第20-22页 |
| ·非晶态材料的电学特性 | 第22-25页 |
| ·太阳能电池的基本原理 | 第25-30页 |
| ·薄膜太阳能电池的基本原理与结构 | 第25-28页 |
| ·太阳能电池等效电路模型与特性参数 | 第28-30页 |
| ·pin 型非晶硅薄膜太阳能电池的测试 | 第30-31页 |
| 第三章 pin 型非晶硅太阳能电池的数值模拟分析 | 第31-42页 |
| ·半导体器件数值分析理论基础 | 第31-35页 |
| ·基本方程 | 第31-32页 |
| ·非平衡载流子的寿命与复合理论 | 第32-35页 |
| ·PIN 非晶硅太阳能数值模拟与设计优化 | 第35-42页 |
| ·数学物理模型的建立 | 第35-37页 |
| ·pin 型非晶硅太阳能i 层厚度模拟仿真与优化设计 | 第37-42页 |
| 第四章 pin 单结非晶硅薄膜太阳能电池制备与工艺的优化 | 第42-72页 |
| ·非晶硅材料的制备原理与方法 | 第43-50页 |
| ·PECVD 制备非晶硅的原理 | 第43-47页 |
| ·非晶硅材料的测试方法 | 第47-50页 |
| ·样品制备材料和基片的准备 | 第50页 |
| ·PECVD 工艺参数及实验步骤设计 | 第50-51页 |
| ·p、n 层材料的制备及工艺选择 | 第51-56页 |
| ·衬底温度对p 型硅薄膜材料带隙影响 | 第52-53页 |
| ·非晶硅薄膜太阳能电池N 层磷掺杂a-Si:H 薄膜制备与表征 | 第53-56页 |
| ·用于薄膜太阳能电池本征层 a-Si:H 薄膜的制备与光电特性研究 | 第56-62页 |
| ·顶电极的选择与制备 | 第62-64页 |
| ·电池的刻蚀 | 第64-66页 |
| ·RIE 刻蚀工艺原理 | 第64-65页 |
| ·a-Si:H 的刻蚀实验 | 第65-66页 |
| ·i 层厚度的选择和对仿真结果的验证 | 第66-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 个人简历 | 第77页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第77-78页 |
