| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-25页 |
| ·ZnO 晶体(薄膜)的基本特性 | 第10-15页 |
| ·ZnO 薄膜的应用研究 | 第15-16页 |
| ·ZnO 薄膜的掺杂研究 | 第16-22页 |
| ·本文研究的思路和主要内容 | 第22-25页 |
| 第二章 ZnO 薄膜的制备以及结构和性能的表征 | 第25-40页 |
| ·ZnO 薄膜制备的主要方法 | 第25-27页 |
| ·射频磁控溅射原理及设备的主要技术参数 | 第27-30页 |
| ·等离子体浸没离子注入（PIII）掺杂技术 | 第30-33页 |
| ·退火机制 | 第33-34页 |
| ·薄膜的结构和性能表征 | 第34-37页 |
| ·ZnO 薄膜的制备过程 | 第37-40页 |
| 第三章 射频磁控溅射辅助PIII 离子注入方法制备p-ZnO 及性能研究 | 第40-56页 |
| ·ZnO 掺Al 薄膜的制备以及性能 | 第40-41页 |
| ·PIII 离子注入制备ZnO:Al:N 薄膜 | 第41-42页 |
| ·注入剂量对薄膜性能的影响 | 第42-48页 |
| ·退火温度对PIII 方法制备P 型ZnO 薄膜结构和性能的影响 | 第48-53页 |
| ·Al 含量对PIII 方法制备P 型ZnO 薄膜电学和光学性能的影响 | 第53-56页 |
| 第四章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
