| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·低介电常数材料的研究背景 | 第10-13页 |
| ·本课题组的主要研究内容 | 第13-15页 |
| ·本文的研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 实验样品的制备及性能表征方法 | 第17-27页 |
| ·多孔SiCOH 低k 薄膜的制备方法 | 第17-21页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体原理简介 | 第17-18页 |
| ·微波ECR-CVD 沉积系统 | 第18-19页 |
| ·实验参数 | 第19-21页 |
| ·SiCOH 薄膜的刻蚀方法 | 第21-22页 |
| ·双频电容耦合等离子体系统（DF-CCP） | 第21页 |
| ·实验参数 | 第21-22页 |
| ·SiCOH 薄膜结构的傅立叶变换红外光谱表征 | 第22-23页 |
| ·SiCOH 薄膜成分的x 射线光电子能谱（XPS）分析 | 第23页 |
| ·SiCOH 薄膜表面形貌的原子力显微镜表征 | 第23-26页 |
| ·SiCOH 薄膜刻蚀的CHF_3 等离子体发射光谱分析 | 第26-27页 |
| 第三章 CHF_3等离子体刻蚀的SiCOH 薄膜结构与性能分析 | 第27-31页 |
| ·低频功率对SiCOH 薄膜刻蚀率的影响 | 第27-28页 |
| ·CHF_3 DF-CCP 等离子体刻蚀的SiCOH 薄膜键结构分析 | 第28-29页 |
| ·CHF_3 DF-CCP 等离子体刻蚀的SiCOH 薄膜表面成分分析 | 第29-31页 |
| 第四章 CHF_3等离子体刻蚀的SiCOH 薄膜表面形貌分析 | 第31-37页 |
| 第五章 C:F 沉积的等离子体关联及对SiCOH 薄膜刻蚀的影响 | 第37-40页 |
| 第六章 结论 | 第40-42页 |
| ·本文研究的主要结果 | 第40-41页 |
| ·存在的主要问题和进一步的研究方向 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
