| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-47页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·透明导电氧化物(TCO)薄膜的研究概况与发展趋势 | 第11-39页 |
| ·TCO薄膜的基本性质 | 第11页 |
| ·TCO薄膜的主要应用 | 第11-15页 |
| ·TCO薄膜的研究进展 | 第15-34页 |
| ·p型TCO薄膜研究现状 | 第34-39页 |
| ·透明导电氧化物的制备方法 | 第39-43页 |
| ·本课题的研究意义及内容 | 第43-47页 |
| 第二章 薄膜制备及表征方法 | 第47-58页 |
| ·薄膜的制备方法及原理 | 第47-50页 |
| ·脉冲等离子体沉积技术(PPD) | 第47-49页 |
| ·溶胶凝胶浸渍提拉法(sol-gel dip-coating) | 第49-50页 |
| ·薄膜的测试表征及原理 | 第50-58页 |
| ·薄膜的光透射率 | 第50-51页 |
| ·薄膜的厚度 | 第51页 |
| ·薄膜的电学测试 | 第51-53页 |
| ·薄膜结构、表面形貌、成分、化合价态分析原理及方法 | 第53-58页 |
| 第三章 PPD法制备SnO_2:W透明导电薄膜的研究 | 第58-88页 |
| ·靶材的制备和基片的清洗 | 第58-59页 |
| ·PPD法制备非晶SnO_2:W透明导电薄膜的性能研究 | 第59-68页 |
| ·非晶氧化物半导体薄膜的研究进展简述 | 第59-61页 |
| ·非晶SnO_2:W薄膜的PPD沉积 | 第61页 |
| ·非晶SnO_2:W薄膜的结构 | 第61-62页 |
| ·非晶SnO_2:W薄膜的表面形貌 | 第62-63页 |
| ·薄膜的电学性质 | 第63-65页 |
| ·薄膜的光学性质 | 第65-68页 |
| ·PPD法制备多晶SnO_2:W透明导电薄膜的性能研究 | 第68-87页 |
| ·薄膜的制备过程和条件 | 第68-69页 |
| ·薄膜的结构 | 第69-71页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第71-74页 |
| ·EDS能谱分析 | 第74-76页 |
| ·多晶SnO_2:W薄膜的导电机理及电学性能 | 第76-82页 |
| ·薄膜的光学性能 | 第82-85页 |
| ·薄膜成分元素化合价态分析 | 第85-87页 |
| ·小结 | 第87-88页 |
| 第四章 溶胶凝胶浸渍提拉法制备SnO_2:W透明导电薄膜的研究 | 第88-101页 |
| ·溶胶配制过程及反应机理 | 第88-90页 |
| ·溶胶的红外吸收谱(IR)和拉曼散射谱(Raman) | 第90-92页 |
| ·薄膜的结构及表面形貌 | 第92-96页 |
| ·薄膜的电学性质 | 第96-97页 |
| ·薄膜的光学性质 | 第97-98页 |
| ·薄膜元素成分化合价态分析 | 第98-100页 |
| ·小结 | 第100-101页 |
| 第五章 SnO_2:W透明导电薄膜的第一性原理研究 | 第101-107页 |
| ·密度泛函理论 | 第101-102页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第102-103页 |
| ·计算结果与讨论 | 第103-106页 |
| ·小结 | 第106-107页 |
| 第六章 p型掺锂氧化镍(NiO:Li)透明导电氧化物薄膜的制备与性能研究 | 第107-119页 |
| ·引言 | 第107-109页 |
| ·靶材的制备与性质 | 第109-110页 |
| ·薄膜的制备与性能分析 | 第110-118页 |
| ·薄膜的结构和表面形貌 | 第110-112页 |
| ·薄膜的电学性质 | 第112-115页 |
| ·薄膜的生长速率 | 第115-116页 |
| ·薄膜的光学性质 | 第116-118页 |
| ·小结 | 第118-119页 |
| 第七章 透明薄膜二极管的制备与研究 | 第119-126页 |
| ·透明薄膜二极管研究简述 | 第119-121页 |
| ·透明薄膜二极管(NiO:Li/SnO_2:W)的制备 | 第121-122页 |
| ·透明薄膜二极管(NiO:Li/SnO_2:W)的性能分析 | 第122-124页 |
| ·透明薄膜二极管(NiO:Li/SnO_2:W)的电学性能 | 第122-124页 |
| ·透明薄膜二极管(NiO:Li/SnO_2:W)的光学性能 | 第124页 |
| ·小结 | 第124-126页 |
| 第八章 全文结论 | 第126-129页 |
| 参考文献 | 第129-141页 |
| 致谢 | 第141-143页 |
| 附录 | 第143-144页 |
