| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1. 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 负电子亲和势光电阴极发展概述 | 第12-13页 |
| 1.2 Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极研究现状 | 第13-22页 |
| 1.2.1 国内外研究概述 | 第13-14页 |
| 1.2.2 Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的光电发射理论 | 第14-17页 |
| 1.2.3 Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的材料生长 | 第17-18页 |
| 1.2.4 Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的净化工艺 | 第18-19页 |
| 1.2.5 Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的激活工艺 | 第19-21页 |
| 1.2.6 Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的常见应用领域 | 第21-22页 |
| 1.3 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极研究现状 | 第22-26页 |
| 1.3.1 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极结构工作原理 | 第22-24页 |
| 1.3.2 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极初步实验研究 | 第24-26页 |
| 1.4 本文的研究背景和意义 | 第26-27页 |
| 1.5 本文主要工作 | 第27-29页 |
| 2. 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的光学性能研究 | 第29-45页 |
| 2.1 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的光学结构 | 第29-31页 |
| 2.2 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的光学性能计算 | 第31-34页 |
| 2.2.1 薄膜光学的矩阵理论 | 第31-33页 |
| 2.2.2 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的光学性能 | 第33-34页 |
| 2.3 影响反射式变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极光学性能的性能参量分析 | 第34-39页 |
| 2.3.1 GaAs发射层厚度 | 第35-36页 |
| 2.3.2 Al_xGa_(1-x)As缓冲层厚度 | 第36-37页 |
| 2.3.3 Al_xGa_(1-x)As缓冲层Al组分 | 第37-39页 |
| 2.4 影响透射式变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极光学性能的性能参量分析 | 第39-44页 |
| 2.4.1 GaAs发射层厚度 | 第40-41页 |
| 2.4.2 Al_xGa_(1-x)As缓冲层厚度 | 第41-42页 |
| 2.4.3 Al_xGa_(1-x)As缓冲层Al组分 | 第42-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 3. 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As光电阴极的量子效率研究 | 第45-65页 |
| 3.1 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As光电阴极量子效率模型 | 第45-49页 |
| 3.1.1 光电子在指数掺杂GaAs发射层的产生和输运 | 第46-48页 |
| 3.1.2 光电子在变组分Al_xGa_(1-x)As缓冲层的产生和输运 | 第48-49页 |
| 3.2 影响变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极量子效率的性能参量分析 | 第49-54页 |
| 3.2.1 GaAs发射层厚度 | 第50-51页 |
| 3.2.2 Al_xGa_(1-x)As缓冲层厚度 | 第51-52页 |
| 3.2.3 Al_xGa_(1-x)As缓冲层Al组分 | 第52-54页 |
| 3.3 不同结构Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极量子效率的仿真比较 | 第54-59页 |
| 3.3.1 积分灵敏度与量子效率的关系 | 第54-55页 |
| 3.3.2 Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极量子效率的仿真比较 | 第55-59页 |
| 3.4 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极量子效率拟合 | 第59-63页 |
| 3.4.1 材料生长与质量表征 | 第59-61页 |
| 3.4.2 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极实验量子效率拟合 | 第61-63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 4. 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的净化工艺研究 | 第65-83页 |
| 4.1 NEA GaAs光电阴极表征与制备系统 | 第65-70页 |
| 4.1.1 表面分析系统 | 第65-67页 |
| 4.1.2 超高真空激活与测控系统 | 第67-70页 |
| 4.2 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极化学清洗工艺 | 第70-78页 |
| 4.2.1 XPS分析方法 | 第70-71页 |
| 4.2.2 化学清洗前Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极表面成分分析 | 第71-73页 |
| 4.2.3 不同化学清洗方法的Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极表面成分分析 | 第73-75页 |
| 4.2.4 优化的化学清洗方法 | 第75-76页 |
| 4.2.5 不同化学清洗方法的Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极激活效果比较 | 第76-78页 |
| 4.3 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极高温净化工艺 | 第78-82页 |
| 4.3.1 高温加热过程中真空腔室气体成分分析 | 第78-80页 |
| 4.3.2 高-低温两步热处理 | 第80-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 5. 变组分变掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的激活工艺研究 | 第83-102页 |
| 5.1 不同氧源的激活实验 | 第83-91页 |
| 5.1.1 Cs源和O源 | 第83-84页 |
| 5.1.2 两种氧源的蒸发电流 | 第84-86页 |
| 5.1.3 Ag_2O氧源的激活工艺优化 | 第86-89页 |
| 5.1.4 两种氧源的激活实验 | 第89-91页 |
| 5.2 Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的单色光照射激活实验 | 第91-99页 |
| 5.2.1 激活实验 | 第92-93页 |
| 5.2.2 激活后Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的量子效率 | 第93-95页 |
| 5.2.3 激活后Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的稳定性 | 第95-96页 |
| 5.2.4 Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的重新铯化 | 第96-97页 |
| 5.2.5 重新铯化后Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极的稳定性 | 第97-99页 |
| 5.3 制备工艺优化前后性能比较 | 第99-101页 |
| 5.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 6. 结束语 | 第102-105页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第102-103页 |
| 6.2 本文创新点 | 第103-104页 |
| 6.3 有待进一步解决的问题 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-119页 |
| 附录 | 第119-121页 |
