| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10页 |
| 1.2 薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的主要结构 | 第10-18页 |
| 1.2.1 液晶(liquid crystal) | 第11-13页 |
| 1.2.2 偏光片(Polarizer) | 第13-14页 |
| 1.2.3 TFT阵列(Array TFT) | 第14-16页 |
| 1.2.4 彩色滤光片(Color filter) | 第16-17页 |
| 1.2.5 背光源(Backlight) | 第17-18页 |
| 1.3 低温多晶硅技术的简要介绍 | 第18-23页 |
| 1.3.1 低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon) | 第18-19页 |
| 1.3.2 非晶硅(a-Si)与低温多晶硅(LTPS)的区别 | 第19-20页 |
| 1.3.3 低温多晶硅(LTPS)阵列生产工艺流程 | 第20-23页 |
| 1.4 研究残影的背景 | 第23-25页 |
| 1.5 残影发生的原因及理论 | 第25-26页 |
| 1.6 论文的章节的主要安排及主要内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第二章 影响残影的主要因素 | 第28-36页 |
| 2.1 杂质离子的主要来源 | 第29-30页 |
| 2.2 驱动电压的原理分析 | 第30-32页 |
| 2.3 工艺制程的影响分析 | 第32-33页 |
| 2.4 产品信息收集分析 | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第三章 残影不良品的分析 | 第36-54页 |
| 3.1 驱动电压的分析 | 第36-44页 |
| 3.1.1 直流、交流电压影响残影的验证 | 第37-40页 |
| 3.1.2 直流、交流电压影响残影的验证 | 第40-41页 |
| 3.1.3 最佳公共电极电压与残影现象的关系测试 | 第41页 |
| 3.1.4 公共电极电压最佳情况下调整公共电极电压的偏置验证 | 第41-43页 |
| 3.1.5 不同残影消失时间测试驱动电压与穿透率(V-T)曲线 | 第43-44页 |
| 3.2 制程工艺排查 | 第44-50页 |
| 3.2.1 多晶硅层膜厚的量测 | 第44-45页 |
| 3.2.2 框胶(Seal) | 第45-46页 |
| 3.2.3 氧化铟锡层ITO膜厚 | 第46-47页 |
| 3.2.4 配向膜 | 第47-49页 |
| 3.2.5 钝化层PV膜 | 第49-50页 |
| 3.3 薄膜晶体管特性排查 | 第50-51页 |
| 3.4 杂质离子的测试 | 第51-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第四章 残影的改善对策验证 | 第54-64页 |
| 4.1 阈值电压Vth与残影的关系 | 第54-55页 |
| 4.2 改善对策的实施 | 第55-63页 |
| 4.2.1 调整白态电压 | 第55-57页 |
| 4.2.2 调整VGH电压验证 | 第57-58页 |
| 4.2.3 调整非对称Gamma调节 | 第58-59页 |
| 4.2.4 降低Vth阈值电压的方法 | 第59-61页 |
| 4.2.5 阈值电压Vth数据收集 | 第61-63页 |
| 4.3 残影风险批次货物的处理 | 第63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
