| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 超导材料的发展历史 | 第10-12页 |
| 1.3 高温超导材料的应用 | 第12-13页 |
| 1.4 GdBa_2Cu_3O_(7-δ)超导材料简介 | 第13-14页 |
| 1.5 外延生长GdBCO薄膜 | 第14-16页 |
| 1.6 GdBCO薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| 1.7 Gd_2CuO_4缓冲层 | 第19-21页 |
| 1.8 本论文的选题意义与研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 MOCVD系统及薄膜制备与表征技术 | 第23-33页 |
| 2.1 MOCVD系统简介 | 第23-25页 |
| 2.2 MOCVD沉积GdBCO和Gd_2CuO_4薄膜 | 第25-28页 |
| 2.2.1 基板 | 第25-26页 |
| 2.2.2 原料 | 第26-27页 |
| 2.2.3 气体 | 第27页 |
| 2.2.4 实验步骤及技术路线 | 第27-28页 |
| 2.3 薄膜分析与表征技术 | 第28-33页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第29页 |
| 2.3.2 极图 | 第29-30页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第30页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜 | 第30-32页 |
| 2.3.5 拉曼光谱 | 第32-33页 |
| 第3章 MOCVD法制备GdBCO外延薄膜 | 第33-61页 |
| 3.1 Al_2O_3基板 | 第33-41页 |
| 3.1.1 沉积温度对GdBCO微观结构的影响 | 第34-38页 |
| 3.1.2 沉积压强对GdBCO微观结构的影响 | 第38-41页 |
| 3.2 MgO单晶基板 | 第41-45页 |
| 3.2.1 沉积温度对GdBCO微观结构的影响 | 第43-45页 |
| 3.3 STO单晶基板 | 第45-48页 |
| 3.3.1 沉积温度对GdBCO微观结构的影响 | 第46-48页 |
| 3.4 LAO单晶基板 | 第48-59页 |
| 3.4.1 沉积温度对GdBCO微观结构的影响 | 第48-51页 |
| 3.4.2 沉积压强对GdBCO微观结构的影响 | 第51-53页 |
| 3.4.3 氧分压对GdBCO微观结构的影响 | 第53-55页 |
| 3.4.4 沉积温度与压强对膜厚与沉积速率的影响 | 第55-57页 |
| 3.4.5 GdBCO的外延生长模式 | 第57-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第4章 MOCVD法制备Gd_2CuO_4外延薄膜 | 第61-74页 |
| 4.1 Al_2O_3基板 | 第61-66页 |
| 4.1.1 沉积温度对Gd_2CuO_4微观结构的影响 | 第62-66页 |
| 4.2 STO单晶基板 | 第66-73页 |
| 4.2.1 沉积温度对Gd_2CuO_4微观结构的影响 | 第66-69页 |
| 4.2.2 沉积温度对膜厚与沉积速率的影响 | 第69-70页 |
| 4.2.3 Gd_2CuO_4薄膜的外延生长模式 | 第70-73页 |
| 4.3 本章小结 | 第73-74页 |
| 第5章 MOCVD法制备GdBCO/Gd_2CuO_4双层外延膜 | 第74-84页 |
| 5.1 沉积温度对GdBCO/Gd_2CuO_4双层膜微观结构的影响 | 第75-78页 |
| 5.2 沉积温度对膜厚与沉积速率的影响 | 第78-80页 |
| 5.3 GdBCO/Gd_2CuO_4双层膜的元素分布 | 第80-81页 |
| 5.4 GdBCO/Gd_2CuO_4双层膜的外延生长模式 | 第81-82页 |
| 5.5 本章小结 | 第82-84页 |
| 第6章 结论 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-94页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文和申请专利情况 | 第94页 |
