| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 光电探测器的研究进展 | 第10-15页 |
| 1.2.1 光电探测器的探测范围分类 | 第10-11页 |
| 1.2.2 光电探测器的器件结构分类 | 第11-14页 |
| 1.2.3 光电探测器的重要参数 | 第14-15页 |
| 1.3 ZnO基光电探测器的研究现状 | 第15-18页 |
| 1.4 本论文的选题依据和主要内容 | 第18-20页 |
| 1.4.1 本论文的选题依据 | 第18页 |
| 1.4.2 本论文的主要内容 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-27页 |
| 第二章 电子注入型Cu_2O/C QD/ZnO异质结的制备及其光敏性的研究 | 第27-44页 |
| 2.1 引言 | 第27-28页 |
| 2.2 实验部分 | 第28-31页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第28-29页 |
| 2.2.2 实验材料 | 第29页 |
| 2.2.3 截角八面体Cu_2O的制备 | 第29页 |
| 2.2.4 ZnO薄膜的制备 | 第29-30页 |
| 2.2.5 CQDs的制备 | 第30页 |
| 2.2.6 C QDs修饰Cu_2O/ZnO异质结的制备 | 第30页 |
| 2.2.7 样品表征方法 | 第30-31页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第31-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-44页 |
| 第三章 Ag改性的Cu_2O/ZnO异质结透明器件的制备及其光电转换性能的研究 | 第44-61页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 实验部分 | 第45-47页 |
| 3.2.1 实验设备 | 第45页 |
| 3.2.2 实验材料 | 第45-46页 |
| 3.2.3 Cu_2O/Ag/ZnO异质结的制备 | 第46页 |
| 3.2.4 样品表征方法 | 第46-47页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第47-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 第四章 CdS QDs敏化Cu_2O/ZnO异质结透明器件的制备及光电转换性能的研究 | 第61-77页 |
| 4.1 引言 | 第61-62页 |
| 4.2 实验部分 | 第62-64页 |
| 4.2.1 实验设备 | 第62页 |
| 4.2.2 实验材料 | 第62-63页 |
| 4.2.3 Cu_2O/CdS QD/ZnO异质结的制备 | 第63页 |
| 4.2.4 样品表征方法 | 第63-64页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第64-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 第五章 结论与展望 | 第77-79页 |
| 5.1 结论 | 第77-78页 |
| 5.2 展望 | 第78-79页 |
| 硕士期间的研究成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
