SIM卡芯片中FLASH存储器的物理设计实现研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 背景意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-9页 |
| 1.3 NORFLASH版图的实现 | 第9-12页 |
| 第2章 FLASH存储器原理分析 | 第12-20页 |
| 2.1 FLASH存储器的分类 | 第12页 |
| 2.2 NORFLASH存储器的原理分析 | 第12-15页 |
| 2.3 NORFLASH存储器的电路结构 | 第15页 |
| 2.4 SIM卡应用的NORFLASH电路 | 第15-17页 |
| 2.5 本章小结 | 第17-20页 |
| 第3章 单元模块定制及建立数据库 | 第20-30页 |
| 3.1 设计目标 | 第20页 |
| 3.2 单元模块定制规则 | 第20-22页 |
| 3.2.1 模拟IP定制规则 | 第20-22页 |
| 3.2.2 数字IP定制规则 | 第22页 |
| 3.3 模块版图定制过程 | 第22-24页 |
| 3.4 模块数据库的建立 | 第24-28页 |
| 3.4.1 抽取LEF信息文件 | 第24-26页 |
| 3.4.2 文件检查 | 第26-27页 |
| 3.4.3 建立目录 | 第27页 |
| 3.4.4 数据库的处理 | 第27-28页 |
| 3.5 本章小结 | 第28-30页 |
| 第4章 顶层版图的拼接 | 第30-40页 |
| 4.1 设计目标 | 第30-31页 |
| 4.2 环境准备 | 第31-32页 |
| 4.3 IP布局和划分逻辑区域 | 第32-34页 |
| 4.4 特殊信号线的实现 | 第34-36页 |
| 4.5 自动布局逻辑单元和整体布线 | 第36-38页 |
| 4.6 初步验证及数据导出 | 第38-39页 |
| 4.7 本章小结 | 第39-40页 |
| 第5章 物理验证及结果分析 | 第40-48页 |
| 5.1 物理验证环境准备 | 第40-41页 |
| 5.2 物理验证内容 | 第41-44页 |
| 5.3 物理验证结果 | 第44-45页 |
| 5.4 checklist检查 | 第45-46页 |
| 5.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 附录A DRC验证结果 | 第52-66页 |
| 附录B ANT验证结果 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
