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超声表面波表征方法中薄膜残余应力的研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 绪论第8-18页
    1.1 课题背景及研究意义第8-10页
        1.1.1 集成电路发展的难题及解决方法第8-9页
        1.1.2 超声表面波无损表征技术第9-10页
    1.2 薄膜残余应力检测技术第10-15页
        1.2.1 残余应力有损检测技术第10-11页
        1.2.2 残余应力无损检测技术第11-15页
    1.3 主要研究内容及创新点第15-16页
        1.3.1 主要研究内容第15-16页
        1.3.2 主要创新点第16页
    1.4 本章小结第16-18页
第2章 激光激发超声表面波检测技术第18-30页
    2.1 超声表面波在不考虑残余应力固体中的传播特性第18-25页
        2.1.1 超声表面波在不考虑残余应力半无限大固体中的传播特性第18-23页
        2.1.2 超声表面波在不考虑残余应力分层结构中的传播特性第23-25页
    2.2 激光激发超声表面波无损检测技术第25-28页
        2.2.1 激光激发超声表面波原理第25-26页
        2.2.2 超声表面波实验信号处理第26页
        2.2.3 超声表面波理论与实验频散曲线拟合第26-28页
    2.3 本章小结第28-30页
第3章 残余应力对超声表面波频散特性曲线的影响第30-48页
    3.1 薄膜残余应力的分类和来源第31-32页
    3.2 超声表面波在含残余应力的固体媒介中的传播特性第32-36页
        3.2.1 声弹性理论第32-34页
        3.2.2 超声表面波在含残余应力的半无限大固体中传播特性第34-35页
        3.2.3 超声表面波在含残余应力的薄膜/基底结构中传播特性第35-36页
    3.3 残余应力对超声表面波技术检测SiO_2杨氏模量的影响第36-46页
        3.3.1 残余应力对超声表面波技术检测SiO_2体材料杨氏模量的影响第37-40页
        3.3.2 残余应力对超声表面波技术检测SiO_2薄膜杨氏模量的影响第40-46页
    3.4 本章小结第46-48页
第4章 LSAWs检测SiO_2薄膜残余应力实验结果及分析第48-54页
    4.1 激光激发超声表面波技术无损检测SiO_2薄膜残余应力第48-52页
    4.2 薄膜残余应力的控制第52-53页
    4.3 本章小结第53-54页
第5章 总结与展望第54-56页
    5.1 总结第54-55页
    5.2 展望第55-56页
参考文献第56-62页
发表论文和参加科研情况说明第62-64页
致谢第64页

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