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无线通信中的宽带高效率功率放大器及GaN HEMT器件建模研究

摘要第5-7页
abstract第7-9页
第一章 绪论第13-27页
    1.1 研究工作的背景与意义第13-14页
    1.2 宽带高效率功率放大器的研究历史与现状第14-22页
    1.3 GaN HEMT器件建模的研究现状第22-25页
    1.4 本论文的研究内容和结构安排第25-27页
第二章 宽带高效率线性化功率放大器研究第27-50页
    2.1 功放系统的记忆效应与互调失真第27-32页
    2.2 宽带匹配网络的设计方法第32-37页
        2.2.1 切比雪夫低通滤波器技术第33-34页
        2.2.2 简化实频技术第34-35页
        2.2.3 带通滤波器技术第35-36页
        2.2.4 椭圆低通滤波器技术第36-37页
    2.3 宽带高效率线性化功放设计与测试第37-49页
        2.3.1 输入匹配网络设计第38-40页
        2.3.2 输出匹配网络设计第40-43页
        2.3.3 连续波信号测试第43-45页
        2.3.4 20 MHzLTE调制信号测试第45-47页
        2.3.5 40 MHzLTE调制信号测试第47-48页
        2.3.6 宽带功放的性能对比分析第48-49页
    2.4 本章小结第49-50页
第三章 基于负载调制的连续型B/J类功率放大器研究第50-86页
    3.1 DLM技术的工作原理第51页
    3.2 负载线理论第51-52页
    3.3 基于负载调制的连续型B/J类功放的理论与设计实例第52-66页
        3.3.1 连续型B/J类功放第52-54页
        3.3.2 基于负载调制的连续型B/J类功放的设计空间第54-59页
        3.3.3 基于负载调制的连续型B/J类功放的设计实例第59-66页
    3.4 评估功率管的膝电压效应和软开启特性对功放性能的影响第66-70页
    3.5 基于负载调制的连续型B/J类功放的一般化理论研究第70-85页
        3.5.1 负载调制功放的理论分析第70-74页
        3.5.2 对一般化设计空间的讨论第74-80页
        3.5.3 对一般化设计空间的验证第80-85页
    3.6 本章小结第85-86页
第四章 基于负载调制的谐波调谐开关类功率放大器研究第86-102页
    4.1 基于负载调制的谐波调谐开关类功放介绍第86-87页
    4.2 逆F类功放的谐波分量产生机制第87-92页
    4.3 具有扩展导通角的负载调制逆F类功放理论第92-95页
    4.4 功放设计实例第95-101页
    4.5 本章小结第101-102页
第五章 GaN HEMT器件建模研究第102-142页
    5.1 GaN HEMT器件介绍第102-108页
        5.1.1 GaN HEMT器件结构与二维电子气第102-104页
        5.1.2 GaN HEMT器件的动态特性与色散效应第104-108页
    5.2 GaN HEMT器件建模基础第108-120页
        5.2.1 小信号模型建模方面第108-111页
        5.2.2 大信号模型建模方面第111-117页
        5.2.3 GaN HEMT器件的测试与建模流程第117-120页
    5.3 非对称型GaN HEMT器件的小信号模型研究第120-132页
        5.3.1 寄生参数提取第121-127页
        5.3.2 本征参数提取第127-130页
        5.3.3 小信号模型验证第130-132页
    5.4 基于人工神经网络的GaN HEMT器件大信号模型研究第132-141页
        5.4.1 人工神经网络在非线性器件建模中的应用第132-133页
        5.4.2 本征电荷模型第133-135页
        5.4.3 非线性漏-源电流模型第135-139页
        5.4.4 大信号模型实现与验证第139-141页
    5.5 本章小结第141-142页
第六章 全文总结与展望第142-145页
    6.1 全文总结第142-144页
    6.2 后续工作展望第144-145页
致谢第145-146页
参考文献第146-161页
攻读博士学位期间取得的成果第161-163页

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