摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-27页 |
1.1 研究工作的背景与意义 | 第13-14页 |
1.2 宽带高效率功率放大器的研究历史与现状 | 第14-22页 |
1.3 GaN HEMT器件建模的研究现状 | 第22-25页 |
1.4 本论文的研究内容和结构安排 | 第25-27页 |
第二章 宽带高效率线性化功率放大器研究 | 第27-50页 |
2.1 功放系统的记忆效应与互调失真 | 第27-32页 |
2.2 宽带匹配网络的设计方法 | 第32-37页 |
2.2.1 切比雪夫低通滤波器技术 | 第33-34页 |
2.2.2 简化实频技术 | 第34-35页 |
2.2.3 带通滤波器技术 | 第35-36页 |
2.2.4 椭圆低通滤波器技术 | 第36-37页 |
2.3 宽带高效率线性化功放设计与测试 | 第37-49页 |
2.3.1 输入匹配网络设计 | 第38-40页 |
2.3.2 输出匹配网络设计 | 第40-43页 |
2.3.3 连续波信号测试 | 第43-45页 |
2.3.4 20 MHzLTE调制信号测试 | 第45-47页 |
2.3.5 40 MHzLTE调制信号测试 | 第47-48页 |
2.3.6 宽带功放的性能对比分析 | 第48-49页 |
2.4 本章小结 | 第49-50页 |
第三章 基于负载调制的连续型B/J类功率放大器研究 | 第50-86页 |
3.1 DLM技术的工作原理 | 第51页 |
3.2 负载线理论 | 第51-52页 |
3.3 基于负载调制的连续型B/J类功放的理论与设计实例 | 第52-66页 |
3.3.1 连续型B/J类功放 | 第52-54页 |
3.3.2 基于负载调制的连续型B/J类功放的设计空间 | 第54-59页 |
3.3.3 基于负载调制的连续型B/J类功放的设计实例 | 第59-66页 |
3.4 评估功率管的膝电压效应和软开启特性对功放性能的影响 | 第66-70页 |
3.5 基于负载调制的连续型B/J类功放的一般化理论研究 | 第70-85页 |
3.5.1 负载调制功放的理论分析 | 第70-74页 |
3.5.2 对一般化设计空间的讨论 | 第74-80页 |
3.5.3 对一般化设计空间的验证 | 第80-85页 |
3.6 本章小结 | 第85-86页 |
第四章 基于负载调制的谐波调谐开关类功率放大器研究 | 第86-102页 |
4.1 基于负载调制的谐波调谐开关类功放介绍 | 第86-87页 |
4.2 逆F类功放的谐波分量产生机制 | 第87-92页 |
4.3 具有扩展导通角的负载调制逆F类功放理论 | 第92-95页 |
4.4 功放设计实例 | 第95-101页 |
4.5 本章小结 | 第101-102页 |
第五章 GaN HEMT器件建模研究 | 第102-142页 |
5.1 GaN HEMT器件介绍 | 第102-108页 |
5.1.1 GaN HEMT器件结构与二维电子气 | 第102-104页 |
5.1.2 GaN HEMT器件的动态特性与色散效应 | 第104-108页 |
5.2 GaN HEMT器件建模基础 | 第108-120页 |
5.2.1 小信号模型建模方面 | 第108-111页 |
5.2.2 大信号模型建模方面 | 第111-117页 |
5.2.3 GaN HEMT器件的测试与建模流程 | 第117-120页 |
5.3 非对称型GaN HEMT器件的小信号模型研究 | 第120-132页 |
5.3.1 寄生参数提取 | 第121-127页 |
5.3.2 本征参数提取 | 第127-130页 |
5.3.3 小信号模型验证 | 第130-132页 |
5.4 基于人工神经网络的GaN HEMT器件大信号模型研究 | 第132-141页 |
5.4.1 人工神经网络在非线性器件建模中的应用 | 第132-133页 |
5.4.2 本征电荷模型 | 第133-135页 |
5.4.3 非线性漏-源电流模型 | 第135-139页 |
5.4.4 大信号模型实现与验证 | 第139-141页 |
5.5 本章小结 | 第141-142页 |
第六章 全文总结与展望 | 第142-145页 |
6.1 全文总结 | 第142-144页 |
6.2 后续工作展望 | 第144-145页 |
致谢 | 第145-146页 |
参考文献 | 第146-161页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第161-163页 |