| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 电力电子技术 | 第12-13页 |
| 1.2 功率MOS控制双极型器件简介 | 第13-18页 |
| 1.3 IGBT关键技术概览 | 第18-32页 |
| 1.3.1 IGBT的体区优化 | 第19-23页 |
| 1.3.2 IGBT表面结构优化 | 第23-32页 |
| 1.3.2.1 电子注入增加技术 | 第23-28页 |
| 1.3.2.2 开启特性的优化 | 第28-32页 |
| 1.4 本论文的主要研究工作 | 第32-34页 |
| 第二章 具有二极管钳位P区的功率MOS控制双极型器件的研究 | 第34-60页 |
| 2.1 研究背景 | 第34-35页 |
| 2.2 具有二极管钳位P区的IGBT | 第35-49页 |
| 2.2.1 基本结构以及原理分析 | 第35-39页 |
| 2.2.2 阻断态特性 | 第39-41页 |
| 2.2.3 导通态特性 | 第41-47页 |
| 2.2.4 关断态特性 | 第47-48页 |
| 2.2.5 工艺可行性讨论 | 第48-49页 |
| 2.3 具有齐纳二极管钳位P区的IGBT | 第49-58页 |
| 2.3.1 基本结构以及原理分析 | 第49-51页 |
| 2.3.2 工艺流程 | 第51-53页 |
| 2.3.3 电学特性 | 第53-58页 |
| 2.4 具有二极管钳位P区的MOS控制晶闸管器件 | 第58-59页 |
| 2.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第三章 具有自偏置pMOS钳位P区的功率MOS控制双极型器件 | 第60-81页 |
| 3.1 工作背景 | 第60页 |
| 3.2 具有自偏置pMOS钳位P区的IGBT | 第60-69页 |
| 3.2.1 基本结构以及原理分析 | 第60-63页 |
| 3.2.2 电学特性 | 第63-69页 |
| 3.3 三种具有钳位P区IGBT结构的对比 | 第69-70页 |
| 3.4 具有自偏置pMOS钳位P区的MOS控制晶闸管 | 第70-79页 |
| 3.5 本章小结 | 第79-81页 |
| 第四章 具有浮空N区IGBT的研究 | 第81-98页 |
| 4.1 研究背景 | 第81页 |
| 4.2 IGBT开启特性分析 | 第81-85页 |
| 4.3 具有浮空N-well区的IGBT | 第85-97页 |
| 4.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 第五章 具有嵌入式发射极栅IGBT的研究 | 第98-108页 |
| 5.1 研究背景 | 第98-99页 |
| 5.2 器件结构以及工作原理 | 第99-101页 |
| 5.3 仿真验证 | 第101-107页 |
| 5.4 本章小结 | 第107-108页 |
| 第六章 全文总结与后续展望 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-121页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第121页 |
