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黄铜基底上制备铜/锌复合氧化物薄膜及光电化学性能的研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-20页
    1.1 引言第10页
    1.2 光电化学水解制氢第10-14页
        1.2.1 光电化学水解的基本原理第10-11页
        1.2.2 半导体光电极材料第11-14页
    1.3 Cu_2O的基本性质及光电催化性能第14-15页
        1.3.1 Cu_2O的基本性质第14页
        1.3.2 Cu_2O的光电催化性能第14-15页
    1.4 CuO的基本性质及光电催化性能第15-16页
        1.4.1 CuO的基本性质第15页
        1.4.2 CuO的光电催化性能第15-16页
    1.5 ZnO基本性质及光电催化性能第16-17页
        1.5.1 ZnO的基本性质第16页
        1.5.2 ZnO的光电催化性能第16-17页
    1.6 铜/锌氧化物复合半导体光电催化性能第17-18页
    1.7 黄铜表面氧化膜的制备及光电化学性能第18-19页
    1.8 本文的主要工作第19-20页
第二章 实验部分第20-25页
    2.1 实验材料和试剂第20页
    2.2 实验仪器第20-21页
    2.3 黄铜表面氧化薄膜的制备第21页
    2.4 光电化学性能测试第21-22页
    2.5 样品形貌、结构和成分表征第22-25页
        2.5.1 扫描电子显微镜(SEM)第22页
        2.5.2 X射线粉末衍射(XRD)第22-23页
        2.5.3 激光拉曼散射光谱(Raman)第23页
        2.5.4 透射电子显微镜(TEM)第23-24页
        2.5.5 X射线光电子能谱(XPS)第24-25页
第三章 酸种类对黄铜表面氧化膜的影响第25-31页
    3.1 引言第25页
    3.2 结果与讨论第25-30页
        3.2.1 可见光光电流测试第25-26页
        3.2.2 SEM形貌分析第26-27页
        3.2.3 XRD结构分析第27-29页
        3.2.4 表面Raman分析第29-30页
    3.3 本章小结第30-31页
第四章 草酸浓度对黄铜腐蚀氧化的影响第31-38页
    4.1 引言第31页
    4.2 结果与讨论第31-36页
        4.2.1 可见光光电流测试第31-32页
        4.2.2 SEM形貌分析第32-34页
        4.2.3 XRD结构分析第34-35页
        4.2.4 表面Raman分析第35-36页
    4.3 本章小结第36-38页
第五章 制备温度对黄铜腐蚀氧化的影响第38-45页
    5.1 引言第38页
    5.2 结果与讨论第38-43页
        5.2.1 可见光光电流测试第38-39页
        5.2.2 SEM形貌分析第39-41页
        5.2.3 XRD结构分析第41-42页
        5.2.4 表面Raman分析第42-43页
    5.3 本章小结第43-45页
第六章 乙酸浓度对黄铜腐蚀氧化的影响第45-57页
    6.1 引言第45页
    6.2 结果与讨论第45-55页
        6.2.1 可见光光电流测试第45-46页
        6.2.2 SEM形貌分析第46-47页
        6.2.3 XRD结构分析第47-49页
        6.2.4 表面Raman分析第49-50页
        6.2.5 XPS分析第50-51页
        6.2.6 TEM分析第51-53页
        6.2.7 线性扫描伏安曲线(LSV)第53-55页
    6.3 本章小结第55-57页
第七章 总结与展望第57-59页
    7.1 总结第57-58页
    7.2 展望第58-59页
参考文献第59-68页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第68-69页
致谢第69-71页

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