| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料概述 | 第11-21页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的晶格结构 | 第11-13页 |
| ·Ⅲ族氮化物的极化特性 | 第13-16页 |
| ·GaN的电学特性 | 第16-17页 |
| ·GaN的光学性质 | 第17页 |
| ·GaN材料的生长方法 | 第17-20页 |
| ·衬底技术 | 第20-21页 |
| ·GaN材料的应用 | 第21-24页 |
| ·GaN基光电器件 | 第22-23页 |
| ·GaN基电子器件 | 第23-24页 |
| ·本论文的主要工作 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-29页 |
| 第二章 GaN体材料衬底表面的缺陷和杂质分布研究 | 第29-38页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·实验过程 | 第30-31页 |
| ·实验结果与分析 | 第31-35页 |
| ·CL扫描(mapping)及CL谱测试分析 | 第31-34页 |
| ·GaN体材料肖特基二极管的电学分析 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 第三章 表面处理对GaN和AlGaN/GaN肖特基整流器件的性能影响研究 | 第38-65页 |
| ·引言 | 第38-40页 |
| ·实验工艺简介 | 第40-43页 |
| ·GaN和AlGaN/GaN肖特基二极管的制备工艺简介 | 第40-42页 |
| ·ICP刻蚀系统简介 | 第42-43页 |
| ·氧等离子体处理对GaN肖特基二极管的性能影响研究 | 第43-50页 |
| ·GaN肖特基二极管器件制备过程 | 第43-45页 |
| ·实验结果与分析 | 第45-50页 |
| ·氧等离子体处理对AlGaN/GaN肖特基二极管的性能影响研究 | 第50-54页 |
| ·实验过程 | 第50页 |
| ·实验结果与分析 | 第50-54页 |
| ·其他表面处理对AlGaN/GaN肖特基二极管的性能影响研究 | 第54-56页 |
| ·ALD淀积Al_2O_3薄膜对AlGaN/GaN肖特基二极管的性能影响 | 第54页 |
| ·CF_4(80%)+O_2等离子体处理对AlGaN/GaN肖特基二极管的性能影响 | 第54-55页 |
| ·在N_2中退火对AlGaN/GaN肖特基二极管的性能影响 | 第55-56页 |
| ·ICP刻蚀对GaN肖特基二极管欧姆接触的影响 | 第56-61页 |
| ·实验过程 | 第57-58页 |
| ·实验结果与分析 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第四章 Si衬底AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究 | 第65-82页 |
| ·引言 | 第65-68页 |
| ·Si衬底AlGaN/GaN肖特基二极管的制备工艺 | 第68-70页 |
| ·版图结构 | 第68页 |
| ·Si衬底AlGaN/GaN肖特基二极管器件制备过程 | 第68-70页 |
| ·实验结果与分析 | 第70-79页 |
| ·二极管的钝化特性 | 第70-72页 |
| ·二极管的电学特性 | 第72-73页 |
| ·二极管的击穿特性 | 第73-75页 |
| ·二极管的变温特性 | 第75-76页 |
| ·二极管的欧姆接触 | 第76-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第五章 论文工作总结与展望 | 第82-85页 |
| ·主要结论 | 第82-83页 |
| ·研究展望 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 博士期间发表论文目录 | 第86-87页 |
