碳化硅型交错并联Boost DC/DC变换器设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第9页 |
| 1.2 碳化硅材料及器件的特点 | 第9-13页 |
| 1.3 交错并联技术 | 第13-15页 |
| 1.4 碳化硅器件国内外研究现状及分析 | 第15-16页 |
| 1.5 交错并联技术的发展方向 | 第16页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 碳化硅器件特性分析及驱动设计 | 第18-35页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 碳化硅器件特性 | 第18-25页 |
| 2.2.1 碳化硅MOSFET静态特性 | 第18-21页 |
| 2.2.2 碳化硅MOSFET动态特性 | 第21-22页 |
| 2.2.3 碳化硅二极管MOSFET静态特性 | 第22-24页 |
| 2.2.4 碳化硅二极管动态特性 | 第24-25页 |
| 2.3 碳化硅MOSFET的高频化的问题研究 | 第25-29页 |
| 2.3.1 寄生参数影响分析 | 第26-27页 |
| 2.3.2 桥臂电路串扰问题分析 | 第27-29页 |
| 2.4 碳化硅MOSFET的驱动设计 | 第29-34页 |
| 2.4.1 碳化硅MOSFET驱动基本要求 | 第29-30页 |
| 2.4.2 碳化硅MOSFET驱动参数设计 | 第30-31页 |
| 2.4.3 碳化硅MOSFET驱动电路设计 | 第31-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 主电路设计与损耗建模 | 第35-52页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 主拓扑双路交错Boost电路分析 | 第35-38页 |
| 3.3 双路交错Boost的优势 | 第38-42页 |
| 3.3.1 减小输入电流纹波 | 第38-41页 |
| 3.3.2 减小电感尺寸 | 第41-42页 |
| 3.4 交错Boost电路的设计选型 | 第42-44页 |
| 3.4.1 主电路参数计算 | 第42-43页 |
| 3.4.2 电感设计选型 | 第43-44页 |
| 3.5 交错Boost电路损耗计算 | 第44-51页 |
| 3.5.1 电感损耗计算 | 第45-46页 |
| 3.5.2 功率MOSFET损耗计算 | 第46-49页 |
| 3.5.3 功率Diode损耗计算 | 第49-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 交错Boost控制环路设计与仿真建模 | 第52-66页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 交错Boost控制电路设计 | 第52-55页 |
| 4.2.1 控制环路方框图 | 第52-53页 |
| 4.2.2 PI补偿网络设计 | 第53-54页 |
| 4.2.3 控制IC外围参数设计 | 第54-55页 |
| 4.3 功率器件仿真分析 | 第55-58页 |
| 4.3.1 功率MOSFET仿真分析 | 第55-57页 |
| 4.3.2 功率二极管仿真分析 | 第57-58页 |
| 4.4 开环系统仿真分析 | 第58-62页 |
| 4.5 闭环系统仿真分析 | 第62-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第5章 交错Boost电路实验结果分析 | 第66-75页 |
| 5.1 引言 | 第66页 |
| 5.2 交错Boost电路效率实测与分析 | 第66-68页 |
| 5.3 交错Boost电路工作波形分析 | 第68-73页 |
| 5.3.1 驱动电压波形分析 | 第68-69页 |
| 5.3.2 碳化硅MOSFET开关应力波形分析 | 第69-70页 |
| 5.3.3 碳化硅二极管导通截止应力波形分析 | 第70-72页 |
| 5.3.4 电感电流波形分析 | 第72-73页 |
| 5.4 硬件平台的搭建 | 第73-74页 |
| 5.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 个人简历 | 第83页 |
