硅基光电探测器的特性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 高性能光电探测器的研究现状 | 第10-16页 |
| 1.2.1 在通信中的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.2 在硅基光互连中的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 本论文主要研究工作 | 第16-17页 |
| 2 光电探测器基本理论 | 第17-26页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 光电探测器的电学结构 | 第17-22页 |
| 2.2.1 MSM型光电探测器 | 第18-19页 |
| 2.2.2 PIN型光电探测器 | 第19-22页 |
| 2.3 光电探测器的性能参数 | 第22-24页 |
| 2.3.1 光谱响应范围 | 第22页 |
| 2.3.2 量子效率 | 第22页 |
| 2.3.3 响应度 | 第22-23页 |
| 2.3.4 响应时间 | 第23页 |
| 2.3.5 伏安特性 | 第23-24页 |
| 2.4 噪声特性 | 第24-25页 |
| 2.4.1 暗电流 | 第24页 |
| 2.4.2 信噪比 | 第24页 |
| 2.4.3 噪声等效功率 | 第24-25页 |
| 2.4.4 探测率 | 第25页 |
| 2.5 小结 | 第25-26页 |
| 3 光栅耦合器 | 第26-35页 |
| 3.1 光耦合方式 | 第26-27页 |
| 3.1.1 倏逝波耦合 | 第26-27页 |
| 3.1.2 对接耦合 | 第27页 |
| 3.1.3 垂直光栅耦合 | 第27页 |
| 3.2 光栅-光纤耦合 | 第27-29页 |
| 3.3 光栅-探测器耦合 | 第29-34页 |
| 3.3.1 完全垂直耦合 | 第29-30页 |
| 3.3.2 啁啾光栅耦合器 | 第30-34页 |
| 3.4 小结 | 第34-35页 |
| 4 PIN型光电探测器的仿真 | 第35-45页 |
| 4.1 命令语句生成的结构 | 第36-38页 |
| 4.2 光谱响应、量子效率和响应度 | 第38-40页 |
| 4.3 伏安特性和暗电流特性 | 第40-43页 |
| 4.4 响应时间特性 | 第43-44页 |
| 4.5 小结 | 第44-45页 |
| 5 硅基混合集成锗光电探测器制备及测试 | 第45-52页 |
| 5.1 集成硅基光栅耦合器制备 | 第45-46页 |
| 5.1.1 电子束曝光工艺 | 第45页 |
| 5.1.2 ICP刻蚀工艺 | 第45-46页 |
| 5.2 集成硅基光栅耦合器测试 | 第46-49页 |
| 5.2.1 测试平台 | 第46-47页 |
| 5.2.2 硅基光栅耦合器效率测试 | 第47-49页 |
| 5.3 键合对准 | 第49-50页 |
| 5.3.1 对准装置 | 第49-50页 |
| 5.3.2 对准实现 | 第50页 |
| 5.4 电学测试 | 第50-51页 |
| 5.5 小结 | 第51-52页 |
| 结论与展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
