砷化铟纳米线基电子器件的制备及输运性质研究
| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第12-13页 |
| 2 绪论 | 第13-37页 |
| 2.1 纳米材料介绍 | 第13-14页 |
| 2.2 砷化铟(InAs)材料 | 第14-16页 |
| 2.3 InAs纳米材料的种类 | 第16-19页 |
| 2.3.1 InAs纳米线 | 第16-17页 |
| 2.3.2 InAs纳米十字 | 第17-18页 |
| 2.3.3 InAs纳米片 | 第18-19页 |
| 2.4 InAs纳米线的制备及掺杂 | 第19-25页 |
| 2.4.1 液相法 | 第19-20页 |
| 2.4.2 气相法 | 第20-22页 |
| 2.4.3 其他方法 | 第22-23页 |
| 2.4.4 InAs纳米材料的掺杂 | 第23-25页 |
| 2.5 InAs纳米线的性质 | 第25-29页 |
| 2.5.1 InAs纳米线的电学性质 | 第25-27页 |
| 2.5.2 InAs纳米线的光学性质 | 第27-28页 |
| 2.5.3 InAs纳米线的力学性质 | 第28-29页 |
| 2.6 InAs纳米线器件 | 第29-35页 |
| 2.6.1 低温输运器件 | 第29-31页 |
| 2.6.2 光电器件 | 第31-32页 |
| 2.6.3 热电器件 | 第32-34页 |
| 2.6.4 气敏器件 | 第34-35页 |
| 2.7 研究目的、内容及方法 | 第35-37页 |
| 2.7.1 研究目的和内容 | 第35页 |
| 2.7.2 研究方法 | 第35-37页 |
| 3 InAs纳米线器件制备和表征方法 | 第37-52页 |
| 3.1 InAs纳米线制备与表征 | 第37-44页 |
| 3.1.1 分子束外延 | 第37-41页 |
| 3.1.2 扫描电子显微镜 | 第41-42页 |
| 3.1.3 透射电子显微镜 | 第42-43页 |
| 3.1.4 拉曼光谱 | 第43-44页 |
| 3.1.5 X射线能量色散谱 | 第44页 |
| 3.2 器件制备与测试 | 第44-52页 |
| 3.2.1 微纳加工 | 第44-50页 |
| 3.2.2 器件测试 | 第50-52页 |
| 4 InAs纳米线自旋注入研究 | 第52-81页 |
| 4.1 研究背景 | 第52-58页 |
| 4.1.1 半导体纳米线自旋输运 | 第52-57页 |
| 4.1.2 InAs材料自旋输运进展 | 第57-58页 |
| 4.2 InAs纳米线生长与表征 | 第58-62页 |
| 4.3 InAs纳米线器件制备工艺 | 第62-64页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第64-80页 |
| 4.4.1 铁磁电极矫顽力 | 第64-65页 |
| 4.4.2 局域测量结果讨论 | 第65-69页 |
| 4.4.3 非局域测量结果讨论 | 第69-73页 |
| 4.4.4 势垒层材料对器件性能影响 | 第73-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 5 InAs纳米线器件阻变效应研究 | 第81-92页 |
| 5.1 研究背景 | 第81-85页 |
| 5.1.1 阻变随机存储器 | 第81-84页 |
| 5.1.2 纳米线阻变器件研究进展 | 第84-85页 |
| 5.2 器件制备及测试方法 | 第85页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第85-91页 |
| 5.3.1 InAs纳米线器件的阻变特性 | 第85-87页 |
| 5.3.2 InAs纳米线器件的阻变机制 | 第87-91页 |
| 5.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 6 InAs纳米线顶栅自对准器件研究 | 第92-102页 |
| 6.1 研究背景 | 第92-93页 |
| 6.2 InAs纳米线顶栅自对准器件制备 | 第93-96页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第96-101页 |
| 6.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 7 总结 | 第102-106页 |
| 7.1 总结 | 第102-103页 |
| 7.2 展望 | 第103-106页 |
| 参考文献 | 第106-127页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第127-132页 |
| 学位论文数据集 | 第132页 |
