摘要 | 第5-8页 |
Abstract | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第14-82页 |
1.1 固体中的拓扑物态 | 第15-29页 |
1.1.1 拓扑相变与拓扑相 | 第15-18页 |
1.1.2 凝聚态中的拓扑不变量 | 第18-26页 |
1.1.3 凝聚态中的Dirac方程与Weyl方程 | 第26-29页 |
1.2 拓扑绝缘体 | 第29-40页 |
1.2.1 二维拓扑绝缘体 | 第30-33页 |
1.2.2 三维拓扑绝缘体 | 第33-37页 |
1.2.3 拓扑绝缘体的特殊物性 | 第37-40页 |
1.3 拓扑半金属 | 第40-52页 |
1.3.1 Dirac半金属 | 第41-45页 |
1.3.2 Weyl半金属 | 第45-50页 |
1.3.3 Type-Ⅱ Dirac/Weyl半金属 | 第50-52页 |
1.4 本文的研究意义和内容 | 第52-54页 |
1.4.1 本文的研究意义 | 第52页 |
1.4.2 本文的主要内容 | 第52-54页 |
参考文献 | 第54-82页 |
第二章 材料与方法 | 第82-98页 |
2.1 单晶的生长 | 第82-87页 |
2.1.1 气相输运法 | 第82-83页 |
2.1.2 生长条件的优化 | 第83-87页 |
2.2 材料表征方法 | 第87-90页 |
2.2.1 结构与成分测量 | 第87-88页 |
2.2.2 低温电磁输运测量 | 第88-90页 |
2.3 数据分析处理方法 | 第90-94页 |
2.3.1 基本电磁输运分析 | 第90-92页 |
2.3.2 量子振荡数据分析 | 第92-94页 |
2.3.3 第一性原理计算方法 | 第94页 |
2.4 本章小结 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-98页 |
第三章 新型拓扑绝缘体Zr/HfTe_5晶体的输运性质 | 第98-124页 |
3.1 研究背景 | 第98-100页 |
3.2 Zr/HfTe_5晶体的电阻异常 | 第100-102页 |
3.3 HfTe_5晶体的缺陷调控 | 第102-106页 |
3.4 ZrTe_5晶体的拓扑输运性质 | 第106-115页 |
3.5 本章小结 | 第115-116页 |
参考文献 | 第116-124页 |
第四章 第二类Weyl半金属MoTe_2-WTe_2晶体体系的输运性质 | 第124-158页 |
4.1 研究背景 | 第124-125页 |
4.2 MoTe_2-WTe_2体系的结构相图 | 第125-130页 |
4.3 Td-WTe_2晶体的巨大磁阻效应 | 第130-134页 |
4.4 Td-WTe_(2-δ)晶体的拓扑输运性质 | 第134-145页 |
4.5 Td-MoTe_2晶体的各向异性磁阻效应 | 第145-151页 |
4.6 本章小结 | 第151-152页 |
参考文献 | 第152-158页 |
第五章 第二类Weyl半金属WP_2晶体的输运性质 | 第158-188页 |
5.1 研究背景 | 第158-160页 |
5.2 α-WP_2晶体的各向异性巨大磁阻效应 | 第160-169页 |
5.3 β-WP_2晶体的各向异性巨大磁阻效应 | 第169-173页 |
5.4 空穴掺杂的β-WP_2晶体的拓扑输运性质 | 第173-184页 |
5.5 本章小结 | 第184-185页 |
参考文献 | 第185-188页 |
第六章 总结与展望 | 第188-192页 |
6.1 本文总结 | 第188-189页 |
6.2 研究创新点 | 第189-190页 |
6.3 工作展望 | 第190-192页 |
攻读博士学位期间的研究成果 | 第192-196页 |
致谢 | 第196-198页 |