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二元拓扑量子材料MX_n单晶的生长与输运性质研究

摘要第5-8页
Abstract第8-10页
第一章 绪论第14-82页
    1.1 固体中的拓扑物态第15-29页
        1.1.1 拓扑相变与拓扑相第15-18页
        1.1.2 凝聚态中的拓扑不变量第18-26页
        1.1.3 凝聚态中的Dirac方程与Weyl方程第26-29页
    1.2 拓扑绝缘体第29-40页
        1.2.1 二维拓扑绝缘体第30-33页
        1.2.2 三维拓扑绝缘体第33-37页
        1.2.3 拓扑绝缘体的特殊物性第37-40页
    1.3 拓扑半金属第40-52页
        1.3.1 Dirac半金属第41-45页
        1.3.2 Weyl半金属第45-50页
        1.3.3 Type-Ⅱ Dirac/Weyl半金属第50-52页
    1.4 本文的研究意义和内容第52-54页
        1.4.1 本文的研究意义第52页
        1.4.2 本文的主要内容第52-54页
    参考文献第54-82页
第二章 材料与方法第82-98页
    2.1 单晶的生长第82-87页
        2.1.1 气相输运法第82-83页
        2.1.2 生长条件的优化第83-87页
    2.2 材料表征方法第87-90页
        2.2.1 结构与成分测量第87-88页
        2.2.2 低温电磁输运测量第88-90页
    2.3 数据分析处理方法第90-94页
        2.3.1 基本电磁输运分析第90-92页
        2.3.2 量子振荡数据分析第92-94页
        2.3.3 第一性原理计算方法第94页
    2.4 本章小结第94-95页
    参考文献第95-98页
第三章 新型拓扑绝缘体Zr/HfTe_5晶体的输运性质第98-124页
    3.1 研究背景第98-100页
    3.2 Zr/HfTe_5晶体的电阻异常第100-102页
    3.3 HfTe_5晶体的缺陷调控第102-106页
    3.4 ZrTe_5晶体的拓扑输运性质第106-115页
    3.5 本章小结第115-116页
    参考文献第116-124页
第四章 第二类Weyl半金属MoTe_2-WTe_2晶体体系的输运性质第124-158页
    4.1 研究背景第124-125页
    4.2 MoTe_2-WTe_2体系的结构相图第125-130页
    4.3 Td-WTe_2晶体的巨大磁阻效应第130-134页
    4.4 Td-WTe_(2-δ)晶体的拓扑输运性质第134-145页
    4.5 Td-MoTe_2晶体的各向异性磁阻效应第145-151页
    4.6 本章小结第151-152页
    参考文献第152-158页
第五章 第二类Weyl半金属WP_2晶体的输运性质第158-188页
    5.1 研究背景第158-160页
    5.2 α-WP_2晶体的各向异性巨大磁阻效应第160-169页
    5.3 β-WP_2晶体的各向异性巨大磁阻效应第169-173页
    5.4 空穴掺杂的β-WP_2晶体的拓扑输运性质第173-184页
    5.5 本章小结第184-185页
    参考文献第185-188页
第六章 总结与展望第188-192页
    6.1 本文总结第188-189页
    6.2 研究创新点第189-190页
    6.3 工作展望第190-192页
攻读博士学位期间的研究成果第192-196页
致谢第196-198页

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