| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 铁电存储器技术概述 | 第12-13页 |
| 1.2 铁电存储器的基本结构 | 第13-15页 |
| 1.3 铁电存储器的工作原理 | 第15-18页 |
| 1.4 铁电电容的研究现状 | 第18页 |
| 1.5 纳米线铁电场效应晶体管的研究现状及其存在的问题 | 第18-22页 |
| 1.5.1 纳米线铁电场效应晶体管的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.5.2 纳米线铁电场效应晶体管存在的问题 | 第21-22页 |
| 1.6 本论文的研究意义和主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 GaN纳米线的制备和表征 | 第24-31页 |
| 2.1 GaN纳米线的制备 | 第24页 |
| 2.2 GaN纳米线的生长机理 | 第24-26页 |
| 2.3 GaN纳米线的分析与表征 | 第26-29页 |
| 2.3.1 GaN纳米线的分析与表征方法简介 | 第26页 |
| 2.3.2 GaN纳米线的晶体结构分析 | 第26-27页 |
| 2.3.3 GaN纳米线的形貌分析 | 第27-28页 |
| 2.3.4 GaN纳米线的成分表征 | 第28-29页 |
| 2.3.5 单根GaN纳米线的晶体结构表征 | 第29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 PZT铁电薄膜的制备和表征 | 第31-38页 |
| 3.1 磁控溅射法工艺原理 | 第31-32页 |
| 3.2 磁控溅射法制备PZT铁电薄膜 | 第32-33页 |
| 3.3 PZT铁电薄膜性能分析 | 第33-37页 |
| 3.3.1 PZT铁电薄膜的分析与表征方法简介 | 第33页 |
| 3.3.2 PZT铁电薄膜的晶体结构分析 | 第33-34页 |
| 3.3.3 PZT铁电薄膜的形貌表征 | 第34-35页 |
| 3.3.4 PZT铁电薄膜的成分分析 | 第35页 |
| 3.3.5 PZT铁电薄膜的铁电性能测试 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 GaN纳米线铁电场效应晶体管的组装和测试 | 第38-54页 |
| 4.1 GaN纳米线铁电场效应晶体管的结构 | 第38页 |
| 4.2 光刻工艺简介 | 第38-41页 |
| 4.3 FIB工艺简介 | 第41-44页 |
| 4.3.1 FIB系统构成及工艺原理 | 第41-42页 |
| 4.3.2 FIB的应用 | 第42-44页 |
| 4.4 GaN纳米线铁电场效应晶体管的组装 | 第44-48页 |
| 4.4.1 电极的制备 | 第44-45页 |
| 4.4.2 GaN纳米线的分散与转移 | 第45-46页 |
| 4.4.3 FIB连接纳米线与电极 | 第46-48页 |
| 4.5 GaN纳米线铁电场效应晶体管的性能表征 | 第48-52页 |
| 4.5.1 纳米线铁电场效应晶体管的分析与表征方法简介 | 第48-49页 |
| 4.5.2 纳米线铁电场效应晶体管的输出特性 | 第49-50页 |
| 4.5.3 纳米线铁电场效应晶体管的转移特性 | 第50-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 MFIS铁电电容与温度和辐照相关电性能 | 第54-65页 |
| 5.1 MFIS铁电电容的结构 | 第54页 |
| 5.2 SBT铁电薄膜性能分析 | 第54-56页 |
| 5.2.1 SBT铁电薄膜的形貌表征 | 第55-56页 |
| 5.2.2 SBT铁电薄膜的晶体结构分析 | 第56页 |
| 5.3 MFIS铁电电容与温度相关的电学性能 | 第56-60页 |
| 5.3.1 MFIS铁电电容常温下的电学性能 | 第56-57页 |
| 5.3.2 MFIS铁电电容与温度相关的C-V特性 | 第57-59页 |
| 5.3.3 MFIS铁电电容与温度相关的漏电流特性 | 第59-60页 |
| 5.4 MFIS铁电电容与辐照相关的电学性能 | 第60-63页 |
| 5.4.1 MFIS铁电电容辐照前的电学性能 | 第61页 |
| 5.4.2 MFIS铁电电容与辐照相关的电学性能 | 第61-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 附件 | 第75页 |
