| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 纳米材料简介 | 第16-19页 |
| 1.2.1 纳米材料的特性 | 第16-17页 |
| 1.2.2 纳米材料的合成方法 | 第17-19页 |
| 1.3 纳米器件的研究与发展 | 第19-25页 |
| 1.3.1 纳米传感器 | 第19-20页 |
| 1.3.2 纳米光电探测器 | 第20-21页 |
| 1.3.3 纳米场效应器件 | 第21-22页 |
| 1.3.4 纳米太阳能电池 | 第22-23页 |
| 1.3.5 纳米非易失性存储器件 | 第23-25页 |
| 1.4 课题研究背景与目的 | 第25-26页 |
| 第二章 实验设备 | 第26-35页 |
| 2.1 纳米材料制备所需的实验设备 | 第26-29页 |
| 2.2 纳米材料的表征方法 | 第29-35页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| 2.2.2 X射线衍射分析(XRD) | 第31页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第31-32页 |
| 2.2.4 原子力显微镜(AFM) | 第32-33页 |
| 2.2.5 紫外可见近红外分光光度计 | 第33-35页 |
| 第三章 Cu_(2-x)Se纳米线的液相法制备 | 第35-41页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 实验中所需的试剂与药品 | 第35-36页 |
| 3.3 Cu_(2-x)Se纳米线的合成 | 第36-39页 |
| 3.3.1 强碱的选择对产物形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 XRD分析 | 第38-39页 |
| 3.4 电学性能的测试 | 第39-40页 |
| 3.4.1 器件的制备 | 第39页 |
| 3.4.2 器件的测试 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 液相包覆法制备Cu_(2-x)Se/In_2S_3径向异质结 | 第41-44页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 实验中所需的试剂与药品 | 第41-42页 |
| 4.3 Cu_(2-x)Se/In_2S_3异质结的制备 | 第42页 |
| 4.4 产物的分析 | 第42-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 液相离子置换法制备Cu_(2-x)Se/In_2S_3径向异质结 | 第44-47页 |
| 5.1 引言 | 第44页 |
| 5.2 Cu_(2-x)Se-In_2S_3异质结的制备 | 第44-45页 |
| 5.3 产物分析 | 第45-46页 |
| 5.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 n型In_2S_3薄膜的制备以及光伏器件 | 第47-62页 |
| 6.1 引言 | 第47页 |
| 6.2 实验原料 | 第47-48页 |
| 6.3 In_2S_3薄膜的制备 | 第48-52页 |
| 6.3.1 反应体系的选择 | 第48-51页 |
| 6.3.2 In_2S_3薄膜的制备 | 第51-52页 |
| 6.4 In_2S_3薄膜的表征 | 第52-54页 |
| 6.4.1 XRD分析 | 第52-53页 |
| 6.4.2 SEM分析 | 第53-54页 |
| 6.4.3 AFM分析 | 第54页 |
| 6.5 In_2S_3薄膜的光学和电学性能的探索 | 第54-56页 |
| 6.5.1 In_2S_3薄膜的光学性能 | 第54-55页 |
| 6.5.2 In_2S_3薄膜的电学性能 | 第55-56页 |
| 6.6 基于In_2S_3薄膜制备的光伏器件 | 第56-61页 |
| 6.6.1 基于In_2S_3薄膜的光伏器件制备 | 第56-57页 |
| 6.6.2 基于In_2S_3薄膜的光伏器件制备 | 第57-59页 |
| 6.6.3 Cu_(2-x)Se与In_2S_3薄膜异质结的探索 | 第59-61页 |
| 6.7 本章小结 | 第61-62页 |
| 第七章 全文总结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第66页 |
