| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-12页 |
| 1.2 研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 SiC MOSFET研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 SiC MOSFET模型研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 研究意义 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 SiC MOSFET传统电路模型 | 第18-31页 |
| 2.1 功率MOSFET建模的基本理论 | 第18-21页 |
| 2.1.1 SPICE模型基础 | 第18-19页 |
| 2.1.2 建立电路模型的一般流程 | 第19-20页 |
| 2.1.3 对电路模型的基本要求 | 第20-21页 |
| 2.2 SiC MOSFET基本理论特性 | 第21-28页 |
| 2.2.1 工作原理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 通态参数 | 第22-25页 |
| 2.2.3 阻断参数 | 第25页 |
| 2.2.4 寄生电容 | 第25-26页 |
| 2.2.5 SiC与SiMOSFET的不同 | 第26-28页 |
| 2.3 SiC MOSFET传统电路模型 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 SiC MOSFET短路失效模型 | 第31-52页 |
| 3.1 影响SiC MOSFET短路失效的因素 | 第31-33页 |
| 3.1.1 泄漏电流 | 第31-32页 |
| 3.1.2 栅介质可靠性 | 第32-33页 |
| 3.2 失效模型建立 | 第33-41页 |
| 3.2.1 泄漏电流模型 | 第34-38页 |
| 3.2.2 沟道迁移率模型 | 第38-40页 |
| 3.2.3 SiC MOSFET的Matlab/Simulink失效模型 | 第40-41页 |
| 3.3 模型验证 | 第41-48页 |
| 3.3.1 安全工作区特性 | 第41-44页 |
| 3.3.2 短路特性 | 第44-48页 |
| 3.4 模型的应用 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 短路条件下SiC MOSFET寄生BJT的触发导通 | 第52-71页 |
| 4.1 BJT理论基础 | 第52-56页 |
| 4.1.1 有源放大工作区 | 第52-53页 |
| 4.1.2 静态电流特性 | 第53-55页 |
| 4.1.3 电流放大系数 | 第55-56页 |
| 4.2 SiC MOSFET寄生BJT | 第56-62页 |
| 4.2.1 寄生BJT分析 | 第56-58页 |
| 4.2.2 短路条件下寄生BJT电流放大系数 | 第58-62页 |
| 4.3 短路故障条件SiC MOSFET寄生BJT抑制 | 第62-70页 |
| 4.3.1 器件仿真物理模型 | 第62-65页 |
| 4.3.2 寄生BJT抑制 | 第65-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 全文总结 | 第71页 |
| 5.2 研究展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 附录一 插图清单 | 第77-79页 |
| 附录二 表格清单 | 第79-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
