| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-28页 |
| 2.1 非晶氧化物半导体材料 | 第14-20页 |
| 2.1.1 非晶氧化物的基本性质 | 第14-17页 |
| 2.1.2 非晶氧化物半导体材料及TFT器件研究进展 | 第17页 |
| 2.1.3 p型氧化物及TFTs器件概述 | 第17-20页 |
| 2.2 非晶氧化物薄膜晶体管的工作原理及性能指标 | 第20-24页 |
| 2.2.1 工作原理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 电学性能参数 | 第21-24页 |
| 2.3 非晶氧化物薄膜晶体管的实际应用 | 第24-27页 |
| 2.3.1 非晶氧化物TFTs与TCOs的结合应用 | 第24页 |
| 2.3.2 非晶氧化物TFTs在AMLCD和AMOLED中的应用 | 第24-26页 |
| 2.3.3 非晶氧化物TFTs在CMOS中的应用 | 第26-27页 |
| 2.4 选题依据和研究内容 | 第27-28页 |
| 第三章 实验方法及原理 | 第28-36页 |
| 3.1 脉冲激光沉积(PLD)技术 | 第28-32页 |
| 3.1.1 脉冲激光沉积原理 | 第28-30页 |
| 3.1.2 PLD实验设备简介 | 第30-31页 |
| 3.1.3 实验过程 | 第31-32页 |
| 3.2 溶液旋涂法 | 第32-35页 |
| 3.2.1 实验试剂与设备 | 第33页 |
| 3.2.2 溶液法制备非晶ZnMgSnO薄膜及器件 | 第33-35页 |
| 3.3 表征手段 | 第35-36页 |
| 第四章 p型非晶CuNiSnO薄膜制备和性能研究 | 第36-48页 |
| 4.1 非晶CuNiSnO薄膜的生长 | 第36-37页 |
| 4.2 非晶CuNiSnO薄膜性能表征 | 第37-45页 |
| 4.2.1 物相结构分析和内部成分分析 | 第37-39页 |
| 4.2.2 形貌分析和表面成分分析 | 第39-41页 |
| 4.2.3 电学性能分析 | 第41-44页 |
| 4.2.4 光学性能分析 | 第44-45页 |
| 4.3 非晶p型CuNiSnO TFTs器件的制备及性能表征 | 第45-46页 |
| 4.4 小结 | 第46-48页 |
| 第五章 非晶ZnMgSnO薄膜及TFTs器件制备和性能研究 | 第48-58页 |
| 5.1 非晶ZnMgSnO薄膜的生长及其性能研究 | 第48-55页 |
| 5.1.1 光学性能分析 | 第49页 |
| 5.1.2 物相结构分析 | 第49-51页 |
| 5.1.3 表面形貌分析 | 第51-53页 |
| 5.1.4 ZnMgSnO薄膜中元素状态的分析 | 第53-55页 |
| 5.2 非晶ZnMgSnO TFTs性能表征 | 第55-57页 |
| 5.3 小结 | 第57-58页 |
| 第六章 结论 | 第58-60页 |
| 6.1 全文总结 | 第58页 |
| 6.2 研究意义与创新点 | 第58-59页 |
| 6.3 研究展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 个人简历 | 第70-72页 |
| 攻读学位期间发表的论文和其它科研成果 | 第72页 |
