具有大电流关断能力的3300V IGBT的设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 功率半导体器件介绍 | 第9-10页 |
| 1.2 IGBT发展概况 | 第10-14页 |
| 1.3 课题研究背景 | 第14-15页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 IGBT的基础理论 | 第16-30页 |
| 2.1 IGBT的器件结构 | 第16-17页 |
| 2.2 IGBT的基本原理 | 第17-21页 |
| 2.2.1 IGBT的工作状态 | 第17-18页 |
| 2.2.2 IGBT的两种等效模型 | 第18-21页 |
| 2.2.2.1 串联组合模型 | 第19-20页 |
| 2.2.2.2 达林顿组合模型 | 第20-21页 |
| 2.3 IGBT的静态特性 | 第21-22页 |
| 2.4 IGBT的动态特性 | 第22-26页 |
| 2.4.1 IGBT的开启过程 | 第23-24页 |
| 2.4.2 IGBT的关断过程 | 第24-26页 |
| 2.5 IGBT的失效 | 第26-29页 |
| 2.5.1 应力失效 | 第26-27页 |
| 2.5.1.1 过热应力失效 | 第26页 |
| 2.5.1.2 过电压应力失效 | 第26页 |
| 2.5.1.3 过电流应力击穿 | 第26-27页 |
| 2.5.2 闩锁失效 | 第27-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 3300VIGBT的设计实现 | 第30-49页 |
| 3.1 工艺流程设计 | 第30-32页 |
| 3.2 元胞仿真设计 | 第32-41页 |
| 3.2.1 漂移区设计 | 第32-35页 |
| 3.2.2 基于Pbody注入剂量的阈值电压仿真 | 第35-37页 |
| 3.2.3 基于Pbody推结时间的阈值电压仿真 | 第37-38页 |
| 3.2.4 FS层参数仿真 | 第38-39页 |
| 3.2.5 P+集电区参数仿真 | 第39-41页 |
| 3.3 结终端理论 | 第41-43页 |
| 3.3.1 场板技术 | 第41-42页 |
| 3.3.2 场限环技术 | 第42-43页 |
| 3.3.3 复合结终端技术 | 第43页 |
| 3.4 终端仿真设计 | 第43-48页 |
| 3.4.1 Ring注入剂量 | 第44-45页 |
| 3.4.2 Poly场板长度 | 第45-46页 |
| 3.4.3 金属场板长度 | 第46-47页 |
| 3.4.4 温度的影响 | 第47-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 IGBT的大电流关断特性研究 | 第49-62页 |
| 4.1 大电流关断仿真研究 | 第49-59页 |
| 4.1.1 单元胞大电流关断研究 | 第49-55页 |
| 4.1.1.1 Pbody注入剂量的影响 | 第51-52页 |
| 4.1.1.2 Pbody推结时间的影响 | 第52-53页 |
| 4.1.1.3 NSD注入剂量的影响 | 第53页 |
| 4.1.1.4 背部P+注入剂量的影响 | 第53-54页 |
| 4.1.1.5 FS层的影响 | 第54-55页 |
| 4.1.1.6 元胞宽度的影响 | 第55页 |
| 4.1.2 并联元胞的仿真 | 第55-58页 |
| 4.1.2.1 元胞工艺差异的影响 | 第55-57页 |
| 4.1.2.2 仿真时热阻的影响 | 第57-58页 |
| 4.1.3 过渡区及终端部分 | 第58-59页 |
| 4.2 工艺参数确定及版图方案设计 | 第59-61页 |
| 4.2.1 工艺参数 | 第59页 |
| 4.2.2 版图方案 | 第59-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第68页 |
