摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-54页 |
1.1 半导体光电催化概述 | 第13-33页 |
1.1.1 引言 | 第13-14页 |
1.1.2 纳米材料 | 第14-15页 |
1.1.3 半导体 | 第15-22页 |
1.1.4 光电催化剂的改性 | 第22-33页 |
1.2 三氧化钨 | 第33-51页 |
1.2.1 三氧化钨的简介 | 第34-35页 |
1.2.2 三氧化钨薄膜的制备方法 | 第35-40页 |
1.2.3 三氧化钨薄膜的改性方法 | 第40-46页 |
1.2.4 三氧化钨薄膜的应用 | 第46-51页 |
1.3 本文的选题意义及研究内容 | 第51-54页 |
第二章 实验方法 | 第54-60页 |
2.1 试剂 | 第54-55页 |
2.2 仪器 | 第55-56页 |
2.3 表征方法 | 第56-57页 |
2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第56页 |
2.3.2 红外线光谱分析(FTIR) | 第56页 |
2.3.3 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第56页 |
2.3.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第56-57页 |
2.3.5 透射电子显微镜(TEM) | 第57页 |
2.3.6 紫外-可见漫反射(UV-visDRS) | 第57页 |
2.3.7 光致发光光谱(PL) | 第57页 |
2.4 光电催化性能评价 | 第57-60页 |
2.4.1 光电性能测试装置 | 第57-58页 |
2.4.2 光电性能测试方法 | 第58-60页 |
第三章 两步水热法制备镍掺杂WO_3纳米片阵列及其光电性能的研究 | 第60-73页 |
3.1 前言 | 第60页 |
3.2 实验部分 | 第60-61页 |
3.2.1 光阳极的制备 | 第60-61页 |
3.2.2 光阳极的表征和测试方法 | 第61页 |
3.3 结果与讨论 | 第61-71页 |
3.3.1 材料结构与形貌表征 | 第61-68页 |
3.3.2 样品的光电化学性能 | 第68-71页 |
3.4 本章小结 | 第71-73页 |
第四章 MoS_2量子点修饰WO_3纳米片阵列的制备及其光电性能的研究 | 第73-86页 |
4.1 前言 | 第73页 |
4.2 实验部分 | 第73-75页 |
4.2.1 MoS_2QDs的制备 | 第74页 |
4.2.2 WO_3纳米片阵列的制备 | 第74页 |
4.2.3 MoS_2QDs/WO_3光阳极的制备 | 第74页 |
4.2.4 光阳极的表征和测试方法 | 第74-75页 |
4.3 结果与讨论 | 第75-85页 |
4.3.1 材料结构与形貌表征 | 第75-80页 |
4.3.2 样品的光电化学性能 | 第80-85页 |
4.4 本章小结 | 第85-86页 |
第五章 WS_2量子点修饰(200)晶面暴露的WO_3纳米棒阵列及其光电性能研究 | 第86-103页 |
5.1 前言 | 第86-87页 |
5.2 实验部分 | 第87-88页 |
5.2.1 WS_2QDs的制备 | 第87页 |
5.2.2 不同形貌的WO_3阵列的制备 | 第87-88页 |
5.2.3 WS_2QDs/WO_3光阳极的制备 | 第88页 |
5.2.4 光阳极的表征和测试方法 | 第88页 |
5.3 结果与讨论 | 第88-102页 |
5.3.1 WS_2QDs的形貌和光学性能表征 | 第88-89页 |
5.3.2 不同形貌的WO_3阵列及复合WS2QDs的性能研究 | 第89-102页 |
5.4 本章小结 | 第102-103页 |
第六章 ZIFs修饰WO_3纳米棒阵列及其光电性能研究 | 第103-115页 |
6.1 前言 | 第103-104页 |
6.2 实验部分 | 第104-105页 |
6.2.1 WO_3纳米棒阵列的制备 | 第104页 |
6.2.2 ZIF-8/WO_3光阳极的制备 | 第104-105页 |
6.2.3 ZIF-67/WO_3光阳极的制备 | 第105页 |
6.2.4 光阳极的表征和测试方法 | 第105页 |
6.3 结果与讨论 | 第105-114页 |
6.3.1 材料结构与形貌表征 | 第105-111页 |
6.3.2 光阳极的光电化学性能 | 第111-114页 |
6.4 本章小结 | 第114-115页 |
结论与展望 | 第115-118页 |
结论 | 第115-116页 |
创新点 | 第116页 |
展望 | 第116-118页 |
参考文献 | 第118-143页 |
攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第143-144页 |
致谢 | 第144-145页 |
附件 | 第145页 |