| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| §1.1 前言 | 第7页 |
| §1.2 III-V族MOSFET优势及发展现状 | 第7-11页 |
| §1.2.1 高迁移率III-V族MOSFET优势 | 第8-10页 |
| §1.2.2 III-V族MOSFET发展现状 | 第10-11页 |
| §1.3 高效射频功率放大器 | 第11-12页 |
| §1.4 研究目的和意义 | 第12-13页 |
| §1.5 论文的主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 InGaAs MOSFET功率器件设计及其制造工艺 | 第15-35页 |
| §2.1 器件结构 | 第15-21页 |
| §2.1.1 器件材料结构 | 第15-17页 |
| §2.1.2 器件栅槽结构设计 | 第17-19页 |
| §2.1.3 器件平面结构及版图设计 | 第19-21页 |
| §2.2 InGaAs MOSFET制造工艺 | 第21-25页 |
| §2.3 GaAs MMIC背孔工艺研究 | 第25-31页 |
| §2.3.1 背面减薄工艺 | 第25-26页 |
| §2.3.2 背孔刻蚀工艺研究 | 第26-30页 |
| §2.3.3 背金工艺 | 第30-31页 |
| §2.4 InGaAs MOSFET功率器件测试结果 | 第31-33页 |
| §2.4.1 直流性能测试 | 第32-33页 |
| §2.4.2 高频小信号测试 | 第33页 |
| §2.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 GaAs MMIC无源器件研究 | 第35-46页 |
| §3.0 无源器件的工艺制作 | 第35-36页 |
| §3.1 MIM电容 | 第36-39页 |
| §3.2 用于InGaAs MOSFET射频集成电路的Al2O3 MIM电容研究 | 第39-42页 |
| §3.3 螺旋电感 | 第42-44页 |
| §3.4 电阻 | 第44-45页 |
| §3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 InGaAs MOSFET小信号模型 | 第46-55页 |
| §4.1 InGaAs MOSFET物理拓扑结构与等效电路 | 第46-47页 |
| §4.2 参数说明 | 第47-48页 |
| §4.3 寄生参数提取 | 第48-52页 |
| §4.4 本征参数提取 | 第52-54页 |
| §4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 InGaAs MOSFET大信号模型 | 第55-73页 |
| §5.1 经验模型 | 第55-62页 |
| §5.1.1 Curtice模型 | 第55-57页 |
| §5.1.2 Statz模型 | 第57-58页 |
| §5.1.3 TriQuint模型 | 第58-59页 |
| §5.1.4 Angelov模型 | 第59-61页 |
| §5.1.5 EEHEMT模型 | 第61-62页 |
| §5.2 EEHEMT大信号模型建立流程 | 第62-71页 |
| §5.2.1 寄生参数的提取 | 第62-63页 |
| §5.2.2 肖特基二极管参数提取 | 第63-64页 |
| §5.2.3 直流参数提参拟合 | 第64-67页 |
| §5.2.4 电容参数提参拟合 | 第67-69页 |
| §5.2.5 参数优化输出 | 第69-71页 |
| 5.3 本章小结 | 第71-73页 |
| 第六章 InGaAs MOSFET射频E类功率放大器设计 | 第73-91页 |
| §6.1 功率放大器基本指标 | 第73-76页 |
| §6.1.1 输出功率 | 第73页 |
| §6.1.2 功率增益与增益平坦度 | 第73-74页 |
| §6.1.3 效率 | 第74页 |
| §6.1.4 线性度 | 第74-75页 |
| §6.1.5 功率放大器的稳定性 | 第75-76页 |
| §6.2 射频E类功率放大器工作原理 | 第76-77页 |
| §6.3 射频E类功率放大器设计 | 第77-90页 |
| §6.3.1 晶体管稳定性研究 | 第77-79页 |
| §6.3.2 功率输出级电路设计 | 第79-85页 |
| §6.3.3 增益驱动级电路设计 | 第85-86页 |
| §6.3.4 两级功率放大器级联 | 第86-90页 |
| §6.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 第七章 论文总结与展望 | 第91-93页 |
| §7.1 论文总结 | 第91页 |
| §7.2 未来展望 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 作者在攻读硕士研究生期间主要研究成果 | 第104-105页 |
